如今內存市場正在經歷一段混亂時期，而且還沒有結束。
到2020年目前為止，對3D NAND和DRAM兩種主要存儲器的需求略好於預期。但由於經濟放緩、庫存問題和持續的貿易戰，市場將存在一些不確定性。
此外，3D NAND市場正在向新一代技術發展，一些廠商遇到了產能問題。而3D NAND和DRAM的供應商正面臨來自中國的新的競爭壓力。
在2019年放緩之後，存儲市場本應在今年反彈。隨著COVID-19大流行爆發，突然之間，很多國家採取了各種措施來緩解疫情，例如禁止外出和關閉企業等。隨之而來的是經濟動盪和失業。
然而，事實證明，在家工作推動了對個人電腦、平板電腦和其他產品的需求；對數據中心服務器的需求也在不斷增長。所有這些都推動了對內存和其他芯片類型的需求。
正在進行的中美貿易戰繼續給市場帶來不確定性，但也引發了一波恐慌性的芯片買賣。基本上，美國已經對中國華為實施了各種貿易限制。因此，一段時間以來，華為一直在囤積芯片，推高了需求。
這類交易已經進入尾聲，要與華為開展業務，美國公司和其他公司將需要在9月14日之後從美國政府獲得新的執照。許多供應商正在切斷與華為的聯繫，這將影響芯片需求。
總的來說，整個內存市場是複雜的，有幾個未知因素。為了幫助業界瞭解未來，本文將研究DRAM、3D NAND和下一代內存市場。
DRAM動盪
現如今一個完整系統集成了處理器、圖形以及內存和存儲，通常被稱為內存/存儲層次結構。在該層次結構的第一層，SRAM集成到處理器以實現快速數據訪問；下一層是獨立的DRAM，用於主存；磁盤驅動器和基於NAND的SSD用於存儲。
2019年是DRAM的艱難時期，需求低迷，價格下跌。三大DRAM製造商之間的競爭一直很激烈。根據TrendForce的數據，在DRAM市場，三星在2020年第二季度以43.5%的市場份額位居第一，緊隨其後的是SK海力士(30.1%)和美光(21%)。
隨著來自中國的新競爭者的加入，市場競爭預計將更加激烈。據Cowen & Co報道，中國長鑫存儲(CXMT)正在推出其首條19nm DRAM生產線，其中17nm產品正在生產中。
CXMT將如何影響市場還有待觀察。與此同時，2020年的DRAM市場喜憂參半。IBS預計，DRAM市場總規模將達到620億美元，與2019年的619.9億美元基本持平。
在家辦公經濟，加上數據中心服務器的繁榮，推動了2020年上半年和第三季度對DRAM的強勁需求。IBS首席執行官Handel Jones表示:“2020年第一季度至第三季度增長的主要驅動力是數據中心和個人電腦。”
如今，DRAM廠商正在推出基於1xnm節點的設備。FormFactor（一家芯片測試應用探針卡供應商）高級副總裁Amy Leong表示:“隨著DRAM供應商開始增加‘1nmy’和‘1nmz’節點，我們看到第三季度DRAM需求持續增強。”
然而，現在人們擔心2020年下半年經濟會放緩。IBS的Jones表示，" 2020年第四季度，由於數據中心需求放緩，會出現一些疲軟，但不會大幅下滑。"
與此同時，到目前為止，智能手機的內存需求表現平平，但這種情況可能很快就會改變。在移動DRAM前端，廠商正在加緊推出基於新的LPDDR5接口標準的產品。據三星稱，16GB的LPDDR5設備的數據傳輸速率為5500Mb /s，大約比之前的移動存儲標準(LPDDR4X, 4266Mb/s)快1.3倍。
Cowen分析師Karl Ackerman在一份研究報告中表示:“我們預計，隨著搭載更高DRAM容量的旗艦5G智能手機產量增加，到2020年，移動DRAM和NAND需求將不斷增長。”
下一代無線技術5G有望在2021年推動DRAM需求。IBS預計，DRAM市場將在2021年達到681億美元。IBS的Jones表示“2021年，增長的主要驅動力將是智能手機和5G智能手機，此外，數據中心的增長將會相對強勁。”
NAND挑戰
在經歷了一段緩慢增長之後，NAND閃存供應商也希望在2020年實現反彈。"我們對NAND閃存的長期需求持樂觀態度，" FormFactor的Leong說。
IBS的數據顯示，NAND閃存市場的總規模預計將在2020年達到479億美元，比2019年的439億美元增長9%。Jones說:“2020年第一季度到第三季度的主要應用驅動是智能手機、個人電腦和數據中心。我們看到2020年第四季度需求出現了一些疲軟，但並不嚴重。”
據IBS預計，NAND市場2021年將達到533億美元。Jones 表示：“2021年的主要驅動力將是智能手機，我們看到每部智能手機的銷量和NAND容量都在增加。”
根據TrendForce的數據，在NAND市場，三星在2020年第二季度以31.4%的市場份額位居第一，緊隨其後的是Kioxia(17.2%)、Western Digital(15.5%)、SK海力士(11.7%)、美光(11.5%)和英特爾(11.5%)。
如果這還不夠競爭激烈的話，中國的長江存儲(YMTC)最近推出了一款64層的NAND芯片，進入了3D NAND市場。“YMTC在2021年將有相對強勁的增長，但它的市場份額非常低。”Jones說。
與此同時，供應商一直在加緊開發3D NAND閃存，它是planar NAND閃存的繼承者。與二維結構的planar NAND不同，3D NAND類似於一座垂直摩天大樓，其中水平的存儲單元層被堆疊起來，然後使用微小的垂直通道連接起來。
3D NAND是由堆疊在一個設備的層數量化的。隨著層數的增加，系統中的位密度也會增加。但是，隨著更多層的添加，製造方面的挑戰將逐步升級。
3D NAND也需要一些複雜的沉積和蝕刻步驟。“我們使用不同的化學物質，也需要一些蝕刻技術，特別是高縱橫比蝕刻（簡稱HAR）。對於3D NAND，這變得非常關鍵。”在最近的一次展示中，TEL America副總裁Ben Rathsack說道。
去年，供應商開始出貨64層3D NAND產品。TechInsights高級技術研究員Choe表示:“如今，92層和96層的3D NAND設備很常見；這些設備在移動設備、SSD和企業市場中被廣泛採用。”
下一代技術是128層3D NAND。有報道稱，由於產能問題，這裡出現了一些延遲。Choe稱：“128L剛剛發佈，128L SSD剛剛面市；不過，產能問題仍然存在。”
目前還不清楚這個問題會持續多久。儘管如此，供應商們正在採取不同的方式來擴大3D NAND的規模。有些使用所謂的字符串疊加方法。例如，一些廠商正在開發兩個64層的設備，並將它們堆疊起來，形成一個128層的設備。
其他廠商則走另一條路。Choe說:“三星在128L中一直採用單棧方式，這涉及到非常高的縱橫比垂直通道蝕刻。”
業界將繼續擴大3D NAND的規模。Choe預計，到2021年底，176- 192層的3D NAND部件將投入風險生產。
這裡有一些挑戰。“我們對3D NAND規模持樂觀態度，”Lam Research的CTO Gottscho說。“擴大3D NAND規模有兩個大挑戰。其中之一就是當你沉積越來越多的層時，薄膜中的應力會增加，這會使晶圓發生扭曲，所以當你進入雙層或三層時，對齊就成了一個更大的挑戰。”
目前還不清楚3D NAND能發展到什麼程度，但對更多比特的需求總是存在的。Gottscho說:“長期來看，需求非常強勁。數據、數據生成和存儲出現爆炸式增長，所有這些挖掘數據的應用程序將為新應用程序提供更多數據，因此對數據和非易失性存儲數據的需求將持續增長。”
下一代內存
業界一直在開發幾種下一代內存類型，如相變存儲器(PCM)、STT-MRAM、電阻式RAM(ReRAM)等。
這些內存類型極具吸引力，因為他們結合了SRAM的速度和閃存的非易失性以及無限持久性。但是，這些新內存需要更長的時間來開發，因為它們使用複雜的材料和轉換模式來存儲數據。
在新的內存類型中，PCM是最成功的。一段時間以來，英特爾一直在推出3D XPoint，這是一款PCM；美光也在推PCM。PCM通過改變材料的狀態來存儲數據，速度比FLASH快，有更好的持久性。
STT-MRAM也在出貨。它具有靜態存儲器的速度和FLASH的非易失性，具有無限的持久性。它利用電子自旋的磁性為芯片提供非易失的特性。
STT-MRAM應用在獨立和嵌入式應用系統中。在嵌入式領域，它的目標是在22nm及以上節點的微控制器和其他芯片上取代NOR (eFlash)。
與FLASH相比，ReRAM具有更低的讀取延遲和更快的寫入性能。ReRAM將電壓施加到材料堆上，使電阻發生變化，從而在存儲器中記錄數據。
UMC產品管理技術總監David Uriu表示:“在某種程度上，ReRAM和MRAM都受到了缺乏成功批量使用案例的影響。從PCM到MRAM再到ReRAM，每種技術都有自己的優缺點。這些技術的未來預測令人興奮，但事實是，它們仍在研究中。”
如今PCM已經發力，其他技術才剛剛開始生根發芽。“產品採用的成熟度問題需要隨著時間推移來證明，以獲得對解決方案能力的信心，”Uriu說。“成本、模擬性能和一般使用案例的問題已經提出來，只有少數遇到了挑戰。大多數風險太大，無法投入生產。”
這並不是說MRAM和ReRAM的潛力有限。“我們確實看到了MRAM和ReRAM的未來潛力。PCM雖然相對昂貴，但被證明是有效的，並且已經開始成熟。我們的行業不斷改進與開發這些較新的內存設計相關的材料和用例，這些將被帶到市場上的高級應用，如人工智能、機器學習和內存處理或內存計算應用。它們將擴展到我們今天使用的許多機器中，用於消費、智能物聯網、通信、3D傳感、醫療、交通和信息娛樂等應用。”
