與非網 4 月 20 日訊，據悉，三星目前在開發第七代 V-NAND閃存，堆疊層數多達 160 層。
目前已取得了重大進展，並且已經加快了開發進程。此前，三星一直在用單堆棧技術來生產 3D 閃存，而第七代 V-NAND 將會改用雙堆棧技術，以便製作更高層數的 3D 閃存。
其實東芝與西數的 BiCS 5 閃存就是使用兩層 56 層的堆棧合在一起組成一個 112 層堆棧的芯片的。去年 SKHynix 宣佈正在研發 176 層堆棧的 4D 閃存，不過他們家的閃存結構甚至命名都跟其他廠商有所不同，不能單看層數高低。
每家的技術方案都不同，美光、SK 海力士有 128 層的，Intel 的是 144 層，而且是浮柵極技術的，三星去年推出的第六代 V-NAND 閃存做到了 136 層，今年也是量產的主力。
三星在 NAND 閃存行業佔據了超過 1/3 的份額，實力是最強的，不出意外 160+層堆棧的閃存應該也會是他們首發，繼續保持閃存技術上的優勢，拉開與對手的差距。
此外，上週我國的長江存儲公司宣佈攻克 128 層 3D 閃存技術，QLC 類型容量做到了 1.33Tb 容量，創造了三個世界第一。
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