虽然英伟达GTC发布会的消息早早放出，明天5月30号上午10点，准时在台湾举行。
在发布会前夕，我们目前整合所有的可能的消息给大家提个醒。
GTX1180
GTX1180，核心为GV104，基于12nm制程工艺，拥有3584个流处理器，256bit显存位宽，16GB GDDR6内存（应该是海力士双8G GDDR6显存），12GHz内存频率。核心频率达到14052MHz，单精度浮点性能为13TFLOPs，功耗为200W。（500W的电源感觉有点吃不消）
从单精度浮点性能上能够看出，GTX1180的性能相比上一代产品GTX1080提升了近50%，性能提升非常可观。
供电方面，英伟达公版GTX1180显卡采用6+8pin供电.
GTX1170
GTX 1170 采用代号为GT104核心，预计还将有大约2688 个CUDA Core，256-bit GDDR6 显存、 8-16 GB容量（海力士GDDR6单颗就是8G，所以1颗或者2颗），基础核心频率在1.5GHz 左右，Boost频率大约为1.8GHz，TDP会在140-160W范围内，单精度性能峰值预计将在9.75 TFLOPS 左右，GTX1080单精度在9TFLOPS，次旗舰年年吃老旗舰。
受限于显存产量
虽然英伟达已经和海力士达成GDDR6显存颗粒的供货协议，但是目前受限于产量问题，如果要达到可持续的稳定供货需要等到夏季，这将会延后英伟达公版显卡上市，并且将会使第三方厂商如华硕、索泰之流的非公版显卡推迟发布和上市。
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