1969年4月，英特爾推出了首款產品：3101靜態隨機存取存儲器。
1968年8月，英特爾公司剛投入運營未滿一年。一開始，英特爾全身心投入研發，作為一家剛剛嶄露頭角的企業，想一舉開發出最新的技術，而不僅僅是複製現有的技術。為了儘快開發出一款產品，英特爾曾同時追求三種技術：雙極存儲器——該產品基於成熟的技術，但是難以進一步開發；硅柵金屬氧化物半導體存儲器——該產品可以革新芯片製造，但首先需要發明出來；以及多芯片存儲器——四個小內存芯片連接在一起，創造出一種體積龐大、不結實但便宜的設備。無論哪種設備，只要能最快證明其可行性，就將成為英特爾的第一個產品。
最終勝出的是雙極存儲器——64位3101，該產品的開發速度本身就是一種勝利。
英特爾首款產品3101靜態隨機存取存儲器裸芯片照片die shot細節展示
當時霍尼韋爾公司宣佈，準備從製造64位SRAM芯片的任意公司處進行採購，這在內存製造商之間引發了一場競爭。作為一家新公司，英特爾並不起眼。為了開發出一個比競爭對手產品更快、更強大的芯片，英特爾決定押寶自己“能以比傳統預想的更快速度克服基礎性障礙”——雖然這個過程中也會面臨“從零開始構建半導體制造業務”所帶來的其它所有問題。
英特爾賭贏了。英特爾製造的64位SRAM芯片的速度已經達到了市面上現有SRAM的兩倍。雖然霍尼韋爾最後沒有選擇採用這款芯片，但英特爾的產品在其它合作中大獲成功。也許更重要的是，正如一位硅谷歷史學家在2014年指出的那樣，這場技術勝利傳達了一個重要的信息：“公司正在發展——這讓行業其它同仁知道，英特爾將成為一個不容小覷的競爭對手、技術創新者和製造商，不僅能夠達到足夠高的良品率，也能在最短的時間內投入市場。”
雙極存儲器採用了足夠成熟的技術。那些對此而感到些許安慰的競爭對手不會高興太早。英特爾的下一款產品1101 SRAM將成為科技歷史上一個更大的里程碑。在1969年晚些時候發佈的1101是首個使用金屬氧化物半導體工藝的商用芯片，它依靠的是硅柵極而不是金屬。它徹底改變了半導體技術，同時為英特爾公司開闢了一個重要的收入來源。
從3101到1101，英特爾在其成立的第一年，就在改進現有技術方面和技術突破的長期開發方面不斷超越競爭對手。
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