根據起訴書三星欠下KAIST IP US（韓國科學與技術高級研究院，Korea Advanced Institute of Science and Technology）的金額為4億美元的專利許可費。由於陪審團裁定三星蓄意侵犯專利權，法官可以選擇施加“三重賠償”，這將使該懲罰的美元金額增加兩倍至12億美元。另外除了三星公司外，高通公司和GlobalFoundries公司也被發現侵犯了同一專利。然而，這這兩家公司卻設法逃脫懲罰，沒有被責令支付賠償金。
三星的FinFET芯片工藝發展路標
FinFET是一種用於設計處理器的晶體管技術，其所使用柵極形狀如翅片（Fins），因此而得名。該技術允許在單個晶體管上開啟多個柵極門（Gate）電路，從而在更小的芯片上實現更高的性能和更低的能耗。
FinFET芯片的架構
三星近期面臨多起專利訴訟
（完）
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