超能小蜜
三星這兩年把半導體代工業務作為重點來抓，今年率先推出了7nm EUV工藝，搶在了臺積電、GlobalFoundries及英特爾前面。如今這幾家半導體制造公司都要依賴FinFET晶體管工藝，除了英特爾之外，三星是最早進入FinFET工藝的廠商之一，但是他們的FinFET工藝也惹上了麻煩，上週末被美國法院判決侵犯了韓國科學技術院的專利，需要賠償4億美元，三星表示不服。
三星與韓國科學技術院（KAIST）在FinFET工藝上的爭論由來已久，KAIST在訴訟中表示當時還在KAIST工作的教授Lee Jong-ho在2001年向三星展示過FinFET技術，三星起初對FinFET工藝並不上心，但是後來看到英特爾的FinFET量產之後也加快了FinFET工藝開發，三星使用了Lee Jong-ho教授的FinFET工藝為基礎改進FinFET工藝，最終在2011年推出了跟Lee Jong-ho教授研發的FinFET工藝相近的FinFET技術。
KAIST就這樣跟三星結下了樑子，2016年KAIST在美國德州的知識產權局起訴了三星，宣稱三星的FinFET工藝侵犯了他們的專利權。三星迴應稱他們是跟KAIST合作開發的FinFET工藝，並質疑後者的FinFET專利有效性，不過陪審團沒有認可三星的辯護，最終在上週判決三星侵犯KAIST的FinFET專利權成立，需要賠償KAIST大概4億美元。
三星這邊對判決表示不服，表示將會考慮所有可能的選擇來獲得合理的結果，包括上訴。
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