要了解固态硬盘的寿命计算的原理，就有必要提一下固态硬盘中的存储介质NAND闪存，因为固态硬盘的寿命很大程度上取决于NAND闪存的寿命。NAND闪存的结构如下图，NAND闪存本质上是一个特殊的MOS晶体管，只是比一般的MOS晶体管多了个栅极，叫做浮栅，用来存储电荷。
当我们对固态硬盘进行写入数据时，也就是对NAND闪存进行写入(Program)操作，实现写入的原理就是利用量子力学的隧穿效应，让电荷通过隧道穿越绝缘氧化层，最终进入浮栅。
当我们对固态硬盘进行擦除数据时，也就是对NAND闪存进行擦除(Erase)操作，实现擦除的原理就是同样是利用量子力学的隧穿效应，让存储在浮栅的电荷通过隧道穿越绝缘氧化层进入到沟道之中。
P/E Cycle就是一个判断NAND闪存寿命的关键参数。固态硬盘完全擦写一次叫做1次P/E，因此固态硬盘的寿命就以P/E作单位。34nm的闪存芯片寿命约是5000次 P/E，
NAND闪存主要分为SLC, MLC, TLC。其中，SLC NAND的PE cyle最大，TLC NAND的PE Cylce最小。固态硬盘的寿命，是由闪存类型和写入量决定的。
1、一般的MLC固态硬盘，最广泛了，与入量是3000次P/E，也就是累计写满3000次。假设一只128G的固态硬盘，每天平均写入40G(一般的家庭用户不可能做到)，那也能使用20年以上。
2、TLC的寿命，是MLC的一半或三分之一。也就是上述寿命缩短三倍。
3、SLC的寿命，是10000次p/e，是MLC的三倍以上。
固态硬盘的寿命有多长？
第一部分我们了解了固态硬盘寿命的本质。不过，我们平时选购固态硬盘的时候，一般不会出现P/E cycle这个参数，甚至都不会告诉你是哪种类型的NAND闪存(SLC，MLC， TLC)。
我们选购固态硬盘是看到的有关寿命的参数一般只有两个: 终身写入量TBW和质保年限. 如下图，是某款固态硬盘的有关寿命的参数宣传。
那么问题来了，终身写入量TBW又是什么呢？TBW=Terabytes Written，代表的含义就是在固态硬盘挂掉之前允许写入的数据总量。比如上图中，终身写入量=72TBW，也就代表了，当固态硬盘总的写入数据达到72TB之后，这个固态硬盘的基本就玩完了。
另外，固态硬盘的使用寿命跟P/E Cycle之间还有一个计算公式，如下。只要记住，固态硬盘的使用寿命跟P/E cycle成正比就好了。
固态硬盘的寿命问题需要担心吗？
首先，现在对于固态硬盘的寿命问题，固态硬盘厂商以及固态硬盘供应商也非常重视，并提出了很多的优化方案。比如，主控对垃圾回收机制的优化，数据写入的优先级等等，目的都是为了最大限度的降低写放大，减少对NAND闪存的写入/擦除次数，保证固态硬盘的寿命。
其次，固态硬盘厂商对寿命的承诺一般是3到5年。对于我们普通用户来说，由于我们平时对固态硬盘并不会集中进行大量的数据写入，保护好的话，一块固态硬盘用5年以上应该不成问题。
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