存储密度一年之内翻5倍是什么概念？去年你还用着16G的乞丐版结结巴巴过日子，突然之间换成64GB马上翻身不用愁。闪存发展即将迎来近几年最具革命性的突破，2T ROM的手机、8T容量的固态硬盘，马上就要成真！
所有这些希望来自东芝BiCS4 - 96层堆叠式QLC闪存，单芯片的最小容量为1.33T位，约为166GB，比目前的64层3D TLC闪存高出520％密度！采用堆叠芯片封装，下图中此类闪存的存储容量预计将达到2.66TB。
在iPhone 7的小伙伴中，您可能正在使用其前身 - 东芝BiCS2 3D TLC闪光灯。
在iPhone X的小型合作伙伴中，您喜欢采用64层堆叠技术的东芝BiCS3 3D TLC闪存，与iPhone 7中的BiCS2（48层堆叠）相比，其存储密度增加了40％。
BiCS3还用于东芝原有的SSD，包括TR200（SATA接口）和RC100（M.2NVMe接口），以提供更高的容量和更快的读写性能。
即将推出的下一代东芝BiCS4的容量增加，除了从64层堆栈升级到96层堆栈外，得益于全新的3D QLC架构，每个存储单元最多包含16个状态，表达4位信息。
存储在每个单元中的数据位数量的增加会产生不稳定性，但作为闪存世界的创始人，东芝显然有信心解决复杂的技术问题。 BiCS使用的Charge Trap结构（比特成本可扩展）比平板闪存时代的浮动门结构更耐用。
根据东芝提供的数据，3D QLC类型的BiCS4闪存仍然具有传统2D MLC的1.5倍的耐久性优势和2D TLC的3倍：
BiCS4 3D QLC的单芯片内存容量为166GB。采用16die封装，单个闪存颗粒的存储容量将达到2.5TB或更高。最近，其工程样品将可供东芝合作伙伴和SSD主开发人员使用，而固态硬盘产品将于今年年底上市。
明年旗舰手机的最大ROM容量已超过2TB并已稳定下来。预计东芝迷你M.2 NVMe SSD在MCP多芯片封装中的最大容量将再次增加。未来笔记本电脑的M.2插槽预计将从M.2 2280缩小到M.22242甚至M.2 2230，从而带来全新，更小，更轻，更薄和更快的笔记本电脑体验。
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