大胖69519782
差距是非常非常大的，靠一些情懷跟YY式的吹捧，應當是沒法跟三星抗爭。目前國內只能生產DDR3內存，但還沒有達到大規模上市的程度，至於DDR4內存，國內還沒有任何一家企業能夠製造出來。而且DDR3內存價格也不會是白菜價，這個放心，有些人還真的很天真，以為國產內存一上市，就能打得三星、海力士和鎂光全都丟盔卸甲，哭著喊著要降價。別做夢了，有時間不如多看看抗日神劇，更有助於YY。
現在網上有兩種風氣，一種就是盲目的自大，以軍事自媒體為主，什麼標題都是嚇哭美日了，震驚全世界。還有一種是跪舔，一個勁的自黑，吹捧美日有多強，有多牛，有多好。這二種心態，都是不正常的，都是不值得推廣的。
作為消費者，要理性看待這些問題，雖然現在國產內存和三星差距比較大。但不用擔心，畢竟我們正在慢慢追趕。雖然現在與三星的差距很大，但是隻要努力追趕，差距總會慢慢縮小的。也許多年以後，我們國產的內存就能超越三星了。
三星已經將10nm的技術應用於DRAM之中，國內目前還處在28nm的階段，正在努力向19nm工藝DRAM內存努力。
三星的已經開始規劃建議三代10nm DRAM生產線和第六代NAND閃存工廠。國內目前真正能有成品上市的只有紫光的DDR3內存，但量很少。
至於市場用有率，研究實力這些，就不多說了。
但我對國產內存有信心，就像多年以前，液晶顯示屏，基本上都是國外企業壟斷，但現在很多產品上使用的屏幕，都是國產的。
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幻塵科技
國產內存與三星的差距，好比只參加過校內運動的中學生與正值巔峰的運動員共同參加比賽，現在被人輕鬆碾壓都是正常的，但是差距未來有可能縮小，最終平級甚至被國產反超。
三星日前發佈了2018年Q1季度財報，營收599.6億美元，同比增長20%，但是淨利潤108億美元，同比大漲52%，其中的主要功臣就是半導體業務，芯片業務佔到利潤總額的75%，內存、閃存功不可沒。
根據市場統計，三星在全球DRAM內存市場上的佔有率達到了45.8%，第二名的SK Hynix為28.7%，美光為21%，三星一家就佔了全球將近一半的DRAM內存芯片市場，去年全球存儲芯片產值1320億美元，內存芯片大約佔740億美元，三星的比重可見一斑。
三星在內存產業上的強勢有多方原因，韓國國家支持、三星起步較早等原因之外，單看產能、技術等方面我們也要知悉中國與三星的差距有多大。首先來說產能，三星2017下半年的存儲芯片晶圓產能就達到了每月39萬片，去年還在韓國平澤市建設了二期工程（一期工程建成了全球最大的NAND晶圓廠），主要用於12英寸內存芯片生產，建成後三星的DRAM內存產能將增加20%左右，2018年預計月產能可達50萬片晶圓/月。
至於中國內存芯片的產能，別說某一家公司，算上未來的長江存儲、合肥長鑫以及福建晉華，這三家近兩年新建設的產能合計不過48萬片晶圓/月，而且長江存儲的30萬片晶圓/月產能還是給3D NAND閃存的，內存領域的產能差距可見就有多大了。
再說技術水平上的，三星全球份額最大，不僅是因為他們全球產能最大，也跟三星的技術領先有重大關係，三星在2014年就量產了20nm工藝的DDR3內存，2016年又率先量產了18nm工藝的DDR4內存芯片，Die核心容量也從之前的4Gb、8Gb一路走向了16Gb，單條128GB容量的內存不是夢，每次量產新工藝內存至少要比SK Hynix、美光量產時間領先2年之多。
內存芯片工藝路線圖
有回答說三星的內存芯片是10nm的，實際上這是三星宣傳中的一個小花招，10nm Class並不是特指10nm工藝，而是20nm以內的都可以叫做10nm Class級別的，在18nm（1X）工藝之後三星還在研發1Y、1Z nm內存芯片，分別指代14到16nm、12到14nm之間的內存芯片，不出意外的話，三星還會繼續保持技術的領先。
至於國產內存，目前國內公司能夠染指的主要是DDR3內存，特別是西安紫光國芯，不過紫光這個也是早前德國英飛凌科技的遺產，這個部門是紫光公司買來的。官網上能少量提供DDR3內存芯片，DDR4說是在今年下半年量產問世。
即便是DDR3，國產內存在技術規格上也落後許久，這不是說DDR3規範落後，而是DRAM芯片的差距，從此前測過的紫光DDR3內存來看，8GB單條是正反面16顆閃存佈局，每個芯片容量從512Mb，核心容量是4Gb的，製程工藝未知，但是國內目前掌握的工藝至少要落後國際先進水平三代以上，大概率是30nm以上的工藝，能耗肯定比現有產品要高。
除了紫光國芯，其他公開進軍內存市場的還有兆易創新，此前他們宣佈聯合合肥產業控股集團斥資180億人民幣研發內存芯片，製程工藝為19nm，預計在今年底之前研發成功，這個技術水平已經很先進了，可惜的是這次的研發只是實驗性的，即便研發成功了，芯片良率要求也不過是10%，根本沒可能量產上市，不然成本貴的要死了。
總之，在內存領域中國公司與三星的差距是天翻地覆的，大概是10分考生與99分學霸的對比，不過中國現在也在大力發展存儲芯片產業，投資強度大，產能增長的很快，各地都在新建晶圓廠，數年內產能追上三星並不意外，技術、人才上的差距則需要時間來不斷試錯、不斷提升。
超能網
我們平常所說的內存最核心的技術在於內存顆粒（DRAM），國產內存顆粒和國際上最直接的差距：目前DDR4內存已經成為絕對主流的今天，國產內存目前最先進的還僅僅是DDR3。不要看前段時間曝出的國產DDR4內存新聞，那張照片很明顯就是一個DDR3內存，國內目前還沒有量產DDR4內存的能力，紫光也對此進行了證實，研發進度究竟到了什麼程度也很難說，希望能像紫光說的那樣在2018年開始推向市場。
前段時間曝出的國產“DDR4”內存
內存顆粒雖說有些方面可能不像CPU那樣研發門檻這麼高，但是仍然是對技術要求很高的半導體產業，設計團隊不僅要有優秀的電路設計能力，長期的經驗積累也很重要，能生產內存顆粒的廠商全球就剩那麼幾家了，三星又是其中的領頭羊，沒有幾把刷子是做不到現在的程度的：
一、三星的內存生產工藝已經達到了10nm級，速度比上代快10%，功耗也會降低15%，同時更先進的工藝也會保證更小的芯片面積、更大的產量和更低的成本。然而國內目前的內存工藝還是在28nm，差距甚大，生產工藝技術至少有2年的代差。
二、三星具備豐富的內存顆粒設計製造經驗，早在1983年就已經開始籌備內存顆粒的研發，90年代又開始建設自己的晶圓廠來生產內存顆粒，從而建設起來堅固而穩定的內存生產線。
三、三星內存技術的進步和強大也離不開韓國政府傾國力的支持和具備魄力的三星領導班子，更有企業當初從上而下的凝聚力和勇氣。
四、三星的一大優勢就是強大的全產業鏈整合能力，其不僅有內存芯片，還有液晶面板，電視電腦、手機產品、SOC等等。這樣垂直式的產業鏈能讓三星以最快速度反映市場的需求，抗風險能力很強，也更容易達成內存等產品與終端產品的協調整合。
目前全球整個內存市場的價格和供給量大部分都掌握在三星的手裡，加上海力士和美光這就是90%的市場佔有率，藉助2017年開始的內存價格大漲，三星也是賺了個盆滿缽滿，利潤率大增。
如今越來越多的產品需要大容量的內存顆粒作支撐，國內龐大的手機、平板、電視等設備需求量很大，三星所操縱的內存市場給國內設備廠商造成了很大的成本壓力，然而最終還會轉嫁到消費者身上。所以說國產內存目前的形勢非常緊迫，必須儘早推出自己的DDR4內存，並在一定程度上打破壟斷。
西安紫光的官網，內存芯片產品列表裡最高就是DDR3
就目前來看，西安紫光的DDR3內存產量就比較捉襟見肘，即使樂觀說今年能推出DDR4內存，恐怕也是在一些商用領域試水，不會大規模量產，另外紫光近兩年的重點恐怕還是會放在武漢長江存儲那邊的3D NAND閃存上，預計國產NAND閃存2018第四季度就能量產，這也將非常值得期待，至於國產DDR4內存顆粒，因為本身基礎差，底子薄，先不說能不能打破三星壟斷，恐怕走進我們普通消費者還是需要相當長的時間。
嘟嘟聊數碼
從技術上講目前國產內存和三星還有不小的差距，但好消息是，國產內存行業正在崛起。
首先我們要了解三星的實力也不是一天建成的，早在上世紀90年代三星就開始建設晶圓廠生產內存顆粒；經過了幾十年的努力，三星佔據了DRAM市場的半壁江山，加上SK海力士市場佔有率達到70%，如果再算上鎂光的話這三家的市場佔有率達到了95%。在這樣一個高度壟斷的市場裡，中國企業進入的難度是巨大的。
目前中國存儲行業主要有三大陣營：長江存儲、福建晉華和合肥長鑫。長江存儲主攻NAND Flash；福建晉華專注於利基型DRAM的開發；而合肥長鑫主攻移動DRAM。其中，移動DRAM是市場份額最大，技術難度最高以及競爭最激烈的領域，目前DDR4內存芯片已經成了絕對主流。
為了方便比較，我們以主攻移動DRAM的合肥長鑫為例。按照最新的時間表，合肥長鑫將在2018年底生產8Gb DDR4工程樣品，2019年底產能達到2萬片/月，2021年完成17納米技術研發。
對比三星的DRAM技術路線圖，目前三星已經在研發18納米以下的工藝，到2020年將會達到10納米並全面進入DDR6時代。
從這個簡單的對比不難看出，目前國產內存無論是在技術還是在量產能力上都和三星有著不小的差距，畢竟我們是從前幾年才開始全面佈局存儲芯片產業的。
但是從存儲器產品中的DRAM產業來看，中國在發展策略上並非雜亂無章。以技術佈局的角度觀察，中國DRAM領域中除了繪圖用內存未有廠商佈局，其他都有廠商按照計劃發展中。以目前現況來看，中國發展存儲器的策略能否成功，未來的3~5年將是極其重要的關鍵期。
高挺觀點
很多人都知道，目前國內最弱的就是CPU和儲存芯片了。不過好在阿里、華為等企業自主研發出了自己的CPU芯片，儲存芯片就成了國內手機的一塊短板。目前國產手機使用的存儲芯片，絕大部分都是國外進口的。其中，三星內存一直在我國獨佔鰲頭。那麼，國產芯片和三星有多大差距。
既然提到國產芯片，就不得不說到國內芯片廠商的代表——紫光和長江儲存。就目前而言，長江儲存已經購買了荷蘭14nm的光刻機，5月份就接下了1萬的訂單，基本可以代表國內芯片的水平。
目前內存芯片最核心的技術還是在於內存顆粒（DRAM），也就是我們常說的代數——DDR。在國際上，DDR4內存芯片已經成了絕對主流，但目前國內的水平只能生產DDR3的芯片，並且還不能大規模量產化。據業內人士透露，長江儲存有望於2020年開始量產化國產芯片。
內存顆粒的技術要求和研發門檻雖然沒有CPU高，但是由於種種原因，目前國內各大企業一直將研發重心放在CPU上，而關注儲存芯片的卻很少。不過隨著現在的數碼產品需要的內存容量越來越大，市場被壟斷終究不是一件好事。所以目前國產內存芯片的形勢十分緊迫，也希望國內能儘快推出自己的DDR4內存。
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科飛貓科技公社
國產內存與三星的差距，好比只參加過校內運動的中學生與正值巔峰的運動員共同參加比賽，現在被人輕鬆碾壓都是正常的，但是差距未來有可能縮小，最終平級甚至被國產反超。
三星日前發佈了2018年Q1季度財報，營收599.6億美元，同比增長20%，但是淨利潤108億美元，同比大漲52%，其中的主要功臣就是半導體業務，芯片業務佔到利潤總額的75%，內存、閃存功不可沒。
根據市場統計，三星在全球DRAM內存市場上的佔有率達到了45.8%，第二名的SK Hynix為28.7%，美光為21%，三星一家就佔了全球將近一半的DRAM內存芯片市場，去年全球存儲芯片產值1320億美元，內存芯片大約佔740億美元，三星的比重可見一斑。
三星在內存產業上的強勢有多方原因，韓國國家支持、三星起步較早等原因之外，單看產能、技術等方面我們也要知悉中國與三星的差距有多大。首先來說產能，三星2017下半年的存儲芯片晶圓產能就達到了每月39萬片，去年還在韓國平澤市建設了二期工程（一期工程建成了全球最大的NAND晶圓廠），主要用於12英寸內存芯片生產，建成後三星的DRAM內存產能將增加20%左右，2018年預計月產能可達50萬片晶圓/月。
至於中國內存芯片的產能，別說某一家公司，算上未來的長江存儲、合肥長鑫以及福建晉華，這三家近兩年新建設的產能合計不過48萬片晶圓/月，而且長江存儲的30萬片晶圓/月產能還是給3D NAND閃存的，內存領域的產能差距可見就有多大了。
再說技術水平上的，三星全球份額最大，不僅是因為他們全球產能最大，也跟三星的技術領先有重大關係，三星在2014年就量產了20nm工藝的DDR3內存，2016年又率先量產了18nm工藝的DDR4內存芯片，Die核心容量也從之前的4Gb、8Gb一路走向了16Gb，單條128GB容量的內存不是夢，每次量產新工藝內存至少要比SK Hynix、美光量產時間領先2年之多。
似水年華144675327
B站有個視頻測評同平臺橫向對比了紫光和三星還有金士頓的D3-1600普條，至少超頻能力上面紫光普條幹掉了另外兩個條子。出了沒多久所以穩定性方面還要經過時間考驗。這兒三星水軍勢力強大，但是事實就是國產不像他們貶低的那麼差，D3出了D4不會太遠了，三星的好日子快到頭了，這是不可逆的。韓國充其量是我們經濟發達省份一省的實力，就算是他們的國家支柱三星，也沒有可能長久的和中國的國家資本比拼並且永遠佔有優勢，何況它的技術不過都是美日給的，而不像美日對中國從技術到設備處處設卡，但是隻要一個瓶頸被突破了，實現了從無到有的轉變，沒有任何一項技術中國不能對韓國實現反超的。
好作孽啊
怎麼說呢，他們之間的差距就像小學數學和高等數學之間的差距。
紫光內存業務最初這是英飛凌2003年在西安的存儲事業部，之後英飛凌在2007年前後把內存部門拆分形成奇夢達，2009年左右奇夢達也破產，大部分資產被我國企業收購。紫光西安的內存事業就是這麼來的。奇夢達最後的產品是DDR3內存，考慮到這麼多年原有的海外技術支持消失，搞出來DDR4內存也確實不容易。而且還是最基本的DDR4-2133款，看參數中規中矩，工藝也沒有透露，大概率還是20+甚至30nm工藝級別的，要不然也不會隻字未提，距三星、美光、SK Hynix的最新DDR4內存差很遠。 大概也就是2010年左右的水平。
目前，三星在全球DRAM市場佔有率為45.8%，第二名的SK Hynix為28.7%，美光為21%，三星一家就佔了全球將近一半的DRAM內存芯片市場，而上述三家企業則佔據了整體的95.5％。去年全球存儲芯片產值1320億美元，內存芯片大約佔740億美元。而在2018年第一季度中，三星的芯片業務銷售額達到了193億美元，這其中有一半左右是內存芯片。三星內存的強大可見一斑。
至於製程上的水平，三星在去年年底已經進步到第二代10nm製程。最新的製程和2012年使用20納米工藝生產的4Gb DDR3芯片相比在容量、速度以及功效上都提升了一倍。 三星希望通過擴大10納米級DRAM芯片的生產，並將在2018年把現有多數DRAM芯片產能轉移到10納米級芯片上。
不過能做出來就已經很不錯了。
看球人
就在前幾天，三星電子官方宣佈了，他們要開始正式量產第五代 3DV Nand閃存。那麼我國計劃今年量產32層的3D Nand，也就說是第二代技術。國產內存和三星內存的差距，差了整整3代。
我國表示2019年會達到第三代技術，一般而言一代技術的更新也就是1年多至兩年多的樣子。我國要達到第五代技術的內存，估計要花上五年的時間，也許會短上一點，全靠自己的造化。
但是，落後技術的人在追趕，頂尖的人也在奮力前進。所以說，這是一場馬拉松比賽。
三星電子從量產第四代內存到量產第五代內存，中間共用了1年7個月的時間，如果按照這個更新速度，等五年後三星也就差不多更新到了第8代技術。（不排除後面會遇到技術瓶頸）
這只是按照目前的速度來估算的，但根據目前來看，我國的追趕速度應該會快很多。三星起步比較早，很早在政府的大力支持下開始了研發、生產，才能達到今天的這個地步。
我國的起步晚，但現在得到了政府的大力支持。我國的中國製造2025的規劃，突破的就是整個半導體產業鏈，並不僅僅在內存方面。我國很多科技企業，也在進行大規模的投資，動不動就是幾百個億。
相信在大環境下，中國的半導體產業會逐漸趕上來，甚至超越對手。
歐界科技
從塞班時代
摩托羅拉，索尼，諾基亞，三星就被稱為三大手機制造巨頭
那時候三星靠的是什麼？
我們還不清楚
安卓到來
中興、華為、酷派、聯想形成國內四大聯盟
這時候，三星已經是最大的手機制造商
這時候我們才知道
三星不但自己做手機
芯片、cpu、半導體、屏幕、閃存、電池、攝像頭、感光模塊，三星都可以自產自銷
除了系統
三星也是唯一自己控制產業鏈的硬件製造設備廠商
像臺積電、高通、蘋果、甚至中國的魅族都需要三星供應芯片
你看懂了這些就知道三星和國內比起來有多大差距
