2018年8月29日，南安市公佈《三安半導體研發與產業化項目修建性詳細規劃》。該項目佔地面積達1662077.4㎡（約2493畝），總建築面積達2108175㎡。
一、規劃範圍
本次用地分為東西兩塊用地，規劃範圍東至院前村、科院北路，西至後井水庫，南鄰規劃廈漳泉聯盟高速，北以後海路、院前村為界，總用地面積為166.06公頃，其中西地塊125.1公頃，東地塊41.1公頃。
二、規劃定位
根據南安市和石井鎮相關產業規劃，結合區域發展特點，規劃將該項目定位為：從上游外延片、芯片到中游封裝以及下游應用的光電全產業鏈，建設一個集生產、研發、綜合配套為一體的專業性複合式光電產業園。
三、規劃規模
用地規模：本次規劃用地面積為166.2公頃，其中生產性設施用地159.1公頃，非生產設施佔地面積7.1公頃。
人口規模：考慮到工業園的主要產業類型為勞動密集型企業，則規劃區職工人數為15900人。
四、功能分區
本規劃根據不同的功能需求將園區分成“兩片九組團”，其中：
“兩片”：為東西兩大片區；
“九組團”：為東片區的特種封裝區及集成電路區；西片區的配套生活區、襯底生產區、2個測試研發區、特種封裝區、氮化鎵外延芯片區及砷化鎵外延芯片區。
五、分期建設
規劃根據項目實際情況，確定“南北向中間推進”的整體開發建設方向，分三期建設。
一期建設：佔地面積49.86公頃，建築面積119.43萬㎡，一期建設重點項目包括：整體市政道路、氮化鎵外延芯片區、砷化鎵外延芯片區、測試綜合樓、博士後工作站、集成電路區及員工宿舍。
二期建設：佔地面積13.30公頃，建築面積40.28萬㎡，二期建設重點項目包括：居住區、接待中心、職工活動中心、氮化鎵外延芯片區、集成測試樓及集成實驗樓。
三期建設：佔地面積12.61公頃，建築面積51.11萬㎡，三期建設重點項目包括：特種封裝區、宿舍區等。
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