集微網消息，9月19日，2018年中國閃存市場峰會（CFMS2018）在深圳舉行，長江存儲總經理楊士寧博士以“創新Xtacking™架構：釋放3D NAND潛能”為主題，介紹長江存儲Xtacking™架構的技術優勢和長江存儲3D NAND新進展。
如今我們終端設備需要存儲的數據越來越多，隨著人工智能的應用，要求分析數據的速率也越來越快。楊士寧表示，閃存市場增長的很快，64層3D NAND已經量產，這相當於最新的蘋果 A12芯片7nm工藝技術；實際上，NAND也是根據摩爾定律往前推進，我們終端設備需要的數據越來越多，分析的速率也越來越快，技術也需要不斷突破。
“雖然長江存儲是個新公司，但我們也希望創新，來為這個產業做貢獻。”楊士寧表示，長江存儲創新的Xtacking™架構技術將為3D NAND閃存帶來更高的I/O性能，更高的存儲密度，以及更短的產品上市週期。
“Xtacking™架構在業界算是比較新的技術，且在可靠性、穩定性等測試上都很好；不過，現在我們3D NAND還沒有批量出貨，等大批量出貨之後，才能算是成功，我們預計能在2019年批量出貨。” 楊士寧說到。
Xtacking™一個新的架構，通過Xtacking™，周邊控制電路設計可以隨意選擇邏輯電路的先進工藝。採用Xtacking™，可在一片晶圓上獨立加工負責數據輸入輸出及記憶單元操作的外圍電路。這樣的邏輯電路加工工藝，可以讓NAND獲取所期望的高I/O接口速度和功能。
在傳統3D NAND架構中，外圍電路約佔芯片面積的20~30%，降低了芯片的存儲密度。隨著3D NAND技術堆疊到128層甚至更高，外圍電路可能會佔到芯片整體面積的50%以上。通過Xtacking™技術將外圍電路置於存儲單元之上，從而實現比傳統3D NAND更高的存儲密度。
“在研發週期上，採用Xtacking™架構架構，3D NAND產品研發週期至少減短三個月，生產週期可縮短20%，從而大幅縮短3D NAND產品的上市時間。”據悉，通過Xtacking™架構技術可充分利用存儲單元和外圍電路的獨立加工優勢，實現了並行的、模塊化的產品設計及製造，可縮短3D NAND產品開發時間。
雖然長江存儲成立才僅僅2年多時間，但在IC製造方面已經有10多年的經驗積累。長江存儲NAND是在武漢新芯的基礎上發展起來的，而武漢新芯是12年前成立的，一開始跟中芯國際有過合作。
楊士寧表示，我們最早是從9層堆棧的NAND芯片驗證開始做，現在我們64層堆棧的3D NAND芯片驗證剛剛取得成功。在未來的發展中，長江存儲將主要注重大規模存儲器研發設計和製造，我們第一代NAND產品已經量產上市，客戶的反饋還是非常正面的，我們希望第二代3D NAND產品將於明年量產上市後，開始賺錢。
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