間隔不到2月，Techinsights更新了今年第三季度全球閃存技術路線圖，新路線圖將對未來3D閃存技術的預期拓展到了2022年。與上一次更新相比，還有一個新消息：美光將轉向ChargeTrap類型，從而將英特爾晾在了原地！
此前，包括三星、美光在內的閃存原廠使用ChargeTrap電荷捕獲結構取代2D平面時代的Floating Gate浮柵結構，使ChargeTrap成為了事實上的主流3D閃存形態。但英特爾和美光選擇的是在3D閃存中沿用Floating Gate浮柵結構（當然也進行了改良）。下圖為東芝BiCS 3D閃存與2D平面閃存的結構對比。
美光過去曾表示使用Floating Gate浮柵結構造3D閃存非常合適，因為它成熟，並且性能、品質和可靠性都得到了驗證。然而，最新的消息是，在和英特爾鬧翻之後，美光已決定自行轉向Charge Trap電荷捕獲型3D閃存的研究。畢竟電荷捕獲型結構有助於提升閃存寫入耐久度，這是從工作原理上決定的。
至於未來幾年3D閃存堆疊層數的發展，TechInsights這次的預測要保守了很多，預計2020年能夠達到200層級的水平，而不是之前有人預測的512層。如果單看近期的發展前景，2019年將是QLC大發展的一年。東芝的96層QLC閃存是存儲容量最大的，達到1.33TB/顆粒。
除了路線圖之外，Techinsights還給出了兩張有趣的圖片，其中一張是截至近幾年Techinsights通過電子顯微鏡研究過的各家閃存的結構圖片。
另外一張是手機閃存近幾年的發展，主要是蘋果iPhone和它的老對手三星的對比。從圖中可以看到，自2015年以來，UFS正逐步成為手機閃存的主流。從品牌來看，三星和東芝幾乎形成壟斷，在SK hynix影響力下滑的同時，美光閃存至今沒能打入主流移動存儲芯片市場。
最後，固態硬盤的價格現在正穩步下調，希望各家一定要Hold住，不要跟風玩工廠著火、產能不足的遊戲……
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