隨著電能變換技術的發展，功率MOSFET在開關變換器中開始廣泛使用。為此，美國硅通用半導體公司推出了SG3525
以用於驅動N溝道功率MOSFET。
SG3525是一種性能優良、功能齊全和通用性強的單片集成PWM控制芯片，它簡單可靠及使用方便靈活，輸出驅動為推拉輸出形式，增加了驅動能力；內部含有欠壓鎖定電路、軟啟動控制電路、PWM鎖存器，有過流保護功能，頻率可調，同時能限制最大佔空比。其性能特點如下：
1)工作電壓範圍寬：8～35V。
2)內置5．1 V±1．0％的基準電壓源。
3)芯片內振盪器工作頻率寬100Hz～400 kHz。
4)具有振盪器外部同步功能。
5)死區時間可調。為了適應驅動快速場效應管的需要，末級採用推拉式工作電路，使開關速度更陝，末級輸出或吸入電最大值可達400mA。
6)內設欠壓鎖定電路。當輸入電壓小於8V時芯片內部鎖定，停止工作(基準源及必要電路除外)，使消耗電流降至小於2mA。
7)有軟啟動電路。比較器的反相輸入端即軟啟動控制端芯片的引腳
8）可外接軟啟動電容。該電容器內部的基準電壓Uref由恆流源供電，達到2．5V的時間為t=(2．5V／50μA)C，佔空比由小到大(50％)變化
9)內置PWM(脈寬調製)。鎖存器將比較器送來的所有的跳動和振盪信號消除。只有在下一個時鐘週期才能重新置位，系統的可靠性高。
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