美光科技公司和英特尔公司宣布推出业界首款4bits / cell 3D NAND技术。利用久经考验的64层结构，新的4位/单元NAND技术每个芯片的密度达到1太比特（Tb），这是世界上密度最高的闪存。这两家公司还宣布了第三代96层3D NAND结构的开发进展，层数增加了50％。结构的进步继续使公司在产生世界上最高的Gb / mm2面密度方面处于领先地位。
NAND技术的进步--64层QLC和96层TLC技术 - 在阵列（CuA）技术下使用CMOS，与竞争方法相比，可减小裸片尺寸并提高性能。新的英特尔和美光NAND闪存可以并行写入和读取更多单元，从而在系统级提供更快的吞吐量和更高的带宽。新的64层4位/单元NAND技术可在更小的空间内实现更密集的存储，为读取密集型云工作负载节省大量成本。它也非常适合消费者和客户端计算应用，提供成本优化的存储解决方案。
“通过引入64层4位/单元NAND技术，与TLC相比，我们的阵列密度提高了33％，这使我们能够在半导体历史上生产出第一款市售的1T芯片，”美光公司执行副总裁，科技发展部Scott DeBoer。“我们通过96层结构继续实现闪存技术创新，将更多数据凝聚到更小的空间中，释放工作负载能力和应用构建的可能性。”
“1Tb 4位/单元的商业化是NVM历史上的一个重要里程碑，并且通过大量的技术和设计创新使得我们的Floating Gate 3D NAND技术的性能得到进一步提升，”英特尔副总裁RV Giridhar表示，非易失性存储器技术发展。“迁移到4bits / cell可为数据中心和客户端存储的密度和成本提供新的操作点。”
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