眼看AMD的7nm第三代銳龍就要發威，還在10nm工藝推進上舉步維艱的英特爾不甘示弱：我們的7nm工藝也進展順利呢。英特爾到底遇到了什麼問題，為什麼10nm出不來卻能放出7nm一切順利的話呢？
對於10nm工藝不順利的原因，英特爾的解釋是設定了過於激進的縮放/晶體管密度目標，導致多重圖形過於複雜。簡單來說就是步子邁太大，扯到X了。
不過深度的解讀就比較複雜了，小編其實也不完全理解，不過在臺灣學習半導體制造的PCEVA論壇網友Asuka曾發文講解過光刻技術。CPU、GPU、閃存、內存的晶圓製造，都是控制光這把刀來"雕刻"電路。簡單的想象在玻璃上貼上一條條電工膠帶，然後手電筒打一道光過去，就能在後方投影出"電路"。擋光的東西，就叫掩膜（mask）。
而實際製造所需的掩膜非常複雜：
而且設計掩膜的過程中會有很多讓人啼笑皆非的狀況，完美的掩膜未必會有完美的最終效果，相反，不完美的掩膜卻有可能達到理想的目標。
英特爾為了用193nm波長的激光刻出10nm上的精細特徵尺寸，設計中用到了大量的多重圖案曝光，大大提升了技術難度，然後在多重因素影響下造成了10nm不斷跳票的現狀，只能在14nm節點基礎上反覆的優化。
而7nm進展順利的解釋則是英特爾計劃採用波長13.5納米的極紫外光光刻（EUV），減少了對多重圖案曝光的需求，簡化了生產並縮短週期時間。據英特爾所說，7nm工藝是由獨立的團隊在負責，進展順利。這種說法是有可能的，當然英特爾的7nm目前也只是畫餅階段，沒有路線圖可以公佈，遠水解不了近渴。
英特爾已宣佈7nm計劃的晶圓廠現在只有位於亞利桑那州的Fab 42。雖然EUV有很多好處，但也面臨一些更大的挑戰，比如粒子性太強，傾向於穿透而非反射。舉一個極端的例子，X-ray的波長在0.001到10納米之間，穿透力超強，被用來拍X光片。
極紫外光經過多層反射膜之後損耗太大，生產過程非常耗電，但最終可用的功率還是很小，影響了生產的成本效益。這也是EUV遲遲未能大規模應用、AMD第三代銳龍要把IO部分獨立出來使用14nm製造的一個原因。
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