今年64層堆疊的3D TLC閃存已經是SSD市場的絕對主流，用96層堆疊閃存的SSD也開始上市了，廠商們已經向更高層的128層堆疊進軍，在年初的2019閃存峰會上SK海力士還有國內的長江存儲已經宣佈了他們的開發計劃，現在東芝與西數的128層堆疊閃存計劃也洩露了出來。
Blocks & Files已經拿到了東芝與西數的128層堆疊3D NAND的部分資料，它將會被命名為BiCS 5，而96層堆疊的3D NAND則名為BiCS 4，128層堆疊閃存將會使用CuA設計，邏輯電路層在芯片的底部，而數據層則堆疊在上方，與非CuA技術相比這可把芯片尺寸縮小15%。目前公佈出來的128層堆疊3D NAND使用TLC設計，存儲密度接近96層堆疊的3D QLC，存儲密度比自家的96層堆疊3D TLC提升了29.8%，如果採用QLC設計的話存儲密度會更高。
BiCS 5的閃存單die採用4 Planes設計，而與2 Planes設計相比寫入速度從66MB/s提升到132MB/s，這以為著SSD在SLC Cache用光之後TLC的原始寫入速度會變得不會那麼難看，不過具體的寫入速度表現還得看主控的算法，如果用全盤SLC Cache的方案，Cache用光後依然沒法看。
預計東芝與西數會在2020年末開始投產128層堆疊的BiCS-5閃存，而產能應該在2021年才會提上去，屆時才能看到對應的SSD產品。
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