自去年3月開工建設以來，華虹無錫項目一直加速前進，目前主要工程節點均較原計劃提前多天完成 ，預計6月將進行主要設備安裝，力爭提前三個月於9月底投產。
據無錫日報報道，華虹無錫集成電路研發和製造基地項目一期工程（華虹七廠），主生產廠房、動力廠房、變電站以及工程師樓等土建工程都已進入後期工作，環氧、裝飾、保溫防水、外幕牆、門窗安裝施工等正在進行。
華虹無錫項目建設總投資100億美元，一期投資25億美元，將新建月產能為4萬片的12英寸特色集成電路生產線，支持5G和物聯網等新興領域的應用。首期項目實施後，將適時啟動第二條生產線建設。
華虹半導體（無錫）有限公司副總裁、華虹七廠廠長倪立華表示，華虹進入無錫後，無錫的通用半導體制造技術將從8英寸時代進入到12英寸時代，工藝技術能力將提升至55納米節點，而之前為0.13微米。
據瞭解，華虹無錫項目在建設過程中，先期研發工作已同時進行，由此縮短了投產時間。一期項目投產後，還將適時在無錫建二期工廠和三期工廠，屆時生產的技術等級也將提升，三期全部建成後華虹在無錫將有三條12英寸集成電路生產線。
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