今年年初就有消息傳出，三星在研發5nm FinFET工藝技術，引起業內人士和網友們的廣泛關注。緊接著在今日，三星官網上就開始在官網上稱，三星電子已經完成了5nm EUV的開發，並對芯片做了更大面積的擴展以及超低功耗功能。
三星電子這些年在在芯片方面雖然不如高通，但是在市場上佔據了相關可觀的市場份額，在華為加入後，其勁頭雖有所波動，但是還是足以站穩腳跟。而且近些年，三星加快了芯片的研究，逐步從7nm發展到現在的5nm。
三星這次將會基於極紫外（EUV）在工藝產品中添加另一個尖端節點，三星稱這項技術能夠再次證明三星自己在先進晶圓代工市場中依然處於較為領先的位置。可以說，三星在這方面確實佔據著優勢。值得一提的是，三星電子在已經完成了5nm FinFET工藝技術的基礎上，開始為客戶提供有關樣品。
三星這次開發5nm FinFET工藝技術主要是基於自己之前7nm納米工藝技術做了很大的提升。接下來，我們就一起看一下5nm FinFET究竟做了哪些改變吧！
首先，與7nm相比，5nm FinFET工藝技術在邏輯區域效率方面提高了25%，性能上提高了將近10%，同時，在功耗上降低了20%左右，基於這些，三星5nm FinFET工藝技術還將有更多、更加創新的標準單元結構。
其次，因為三星之前就擁有7nm的自研成果和專利，因而，5nm FinFET工藝技術將會擁有所有7nm知識產權，而且此前7nm的相關客戶過渡到5nm方面，這將會極大降低遷移成本，並預先驗證設計生態系統，所以5nm產品的開發時間也極大地縮小。
此外，5nm FinFET工藝技術在EUV光刻技術上的優勢也不可小覷。此前，三星第一次在7nm工藝上採用了EUV光刻技術的工藝節點，並已經向業界提供首批基於EUV新產品的商業樣品，而且預計今年7nm將開始量產。而在6nm工藝上，三星在EUV工藝節點也做了提升，目前已有了6nm芯片的流片產品和相關合作客戶。由此可看，三星在5nm FinFET在EUV方面將會依然有所提升。
據悉，目前三星目前正在擴展EUV的工藝技術的生產，三星的EUV的工藝技術目前已經在韓國華城的S3的生產線上進行專業化生產，而三星為了擴大EUV產能，從而在華城開啟EUV的新生產線，預計在明年該EUV新產線將會開始增產。這也表示，三星很有可能會在EUV的發展上加大力度。
對於此次5nm FinFET的研發成功，三星電子鑄造業執行主席副總裁Charlie Bae表示，成功完成5nm技術的研發，已經證明了三星基於EUV的節點的能力，而且接下來，為了滿足客戶對先進工藝的需求和增加下一代產品的區別度，將會加快基於EUV技術的產品的批量生產。
可以說，三星對於芯片方面的技術進展很快，而且去的相當大的成果。但是，三星芯片目前在市場上的銷量並不算是太樂觀，所以貌似三星在提升芯片設計技術的同時，還需要提升一下內在配置和相關的宣傳力度等。
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