雖然現在臺積電已經量產7納米，明年將向6納米過渡，兩至三年後將來到3納米級別，但內存的製造半導體制程工藝進入20納米之後，製造就難度越來越高，繼續提升製程工藝費效比越來越低，內存芯片廠商對工藝的定義已經不是具體的線寬，而是希望通過兩代或三代1Xnm節點去升級DRAM，由此稱為1Xnm、1Ynm、1Znm。大體上1Xnm工藝相當於16-19nm級別、1Ynm相當於14-16nm，1Znm工藝相當於12-14nm級別。
而通過美光的DRAM技術路線圖顯示，美光將繼續擴展多個10納米級節點，除了已經投產的第一代10納米（1X）和第二代10納米（1Y），目前開始量產第三代10納米（1Z），首批使用1Znm製程來生產的DRAM將會是16GB的DDR4及LPDDR4X存儲器。
接著，美光還將擴展三個10納米級別節點：1 α，1 β和1 γ（注意，是希臘字母）
目前，美光公司正在加大其用於製造各種產品的第二代10nm級製造工藝（即1Y nm），該工藝用於製造該公司的各種產品包括12 Gb LPDDR4X以及16 Gb DDR4存儲器件。
而美光的下一代1Z nm正準備進入量產階段，首批使用1Znm製程來生產的DRAM將會是16GB的DDR4及LPDDR4X存儲器。然後用於生產16 Gb LPDDR5存儲器件以及DDR5存儲器件。
1Z nm節點之後，美光計劃開始使用其1αnm製造技術，接著是1βnm製造工藝，然後是1γnm技術的可行架構的驗證。
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