【嘉德點評】第三代半導體具有禁帶寬度寬、熔點高（耐 高溫、抗輻射）、擊穿場強高耐高壓、電子飽和漂移速度快（高頻率工作）、熱導率高等優點，更適於工作在高溫、高壓和高頻的應用場合。
集微網消息，近日中國國際半導體照明論壇在深圳成功召開，大會以“迎接新挑戰 共創新時代”為主題，吸引了來自海內外半導體照明，第三代半導體及相關領域的專家學者、企業領袖的積極參與。
2019年，在全球經濟波動的背景下，全球第三代半導體實現了逆勢增長，產業進入從導入期向成長期轉變的關鍵時間點，中國第三代半導體也邁入了新階段，第三代半導體是新一代電子器件，移動通信，光電子應用等的核心材料和關鍵技術，將引發能源、交通、通訊等諸多領域的顛覆性技術變革，並進一步推動綠色、可持續發展，是未來頗具競爭力的關鍵。
半導體照明技術作為第三代半導體材料的第一個突破口，將帶動相關材料在節能減排、信息技術和軍事國防領域取得新的發展。自從2003年科技部啟動國家半導體照明工程以來，中國半導體照明產業在有關部門和地方的支持下，從高速發展走向高質量發展轉型，向實現產業強國的目標邁進，在此基礎上，第三代半導體也得到了迅猛的發展。
在當前的背景下，為了進一步推進半導體照明技術的發展，提升發光半導體的運行效率，歐司朗光電半導體申請了一項名為“發光半導體芯片和光電子組件”的發明專利（申請號：201810869489.4），申請人為歐司朗光電半導體有限公司。
圖1
圖1是該專利提出的發光半導體芯片100的示意圖。發光半導體芯片100具有面狀地擴展的襯底101，其在主面104上具有半導體層序列102。在半導體層序列102的背離襯底101的一側114上含有第一接觸部105和第二接觸部106。當發光半導體芯片100工作時，可以藉助於第一和第二接觸部105、106將電壓施加到半導體層序列102上，使其發射輻射109。
在芯片運行中流到接觸部105、106的電流會有一部分流入透明導電層107中，並且從那裡流動至半導體層序列102。層107可以作為電流擴展層，以便儘可能整面地電接觸半導體層序列102。
因此，半導體芯片100可以構成體積發射器。而輻射109既在前側110上通過層107離開半導體芯片100、在後側111上離開半導體芯片100，也在側面112上離開半導體芯片100。
圖2
圖2是該專利提出的光電子組件200示意圖。半導體芯片100藉助接觸部105、106與載體201的印製導線202、203電地和機械地連接。載體201用於承載半導體芯片100和提供用於電接觸半導體芯片100的電接口。
另外，在芯片100和印製導線202之間具有一定的間距，該間距205以及印製導線202、203的導熱性，可以使轉換器206在芯片100和載體201之間充分冷卻，有助於增加組件200的使用壽命。
因此，上述模塊可以降低金屬反射器(也稱作為鏡)處的反射損失或，進而使組件200能夠實現更高的效率。
第三代半導體在新一輪的信息技術發展中至關重要，在發展第三代半導體的過程中，一定要保持開放的心態。而作為第三代半導體材料第一個突破口的照明技術，國內外一些企業已經走在了“照明”的最前沿，希望半導體照明技術可以快速發展，進而促進第三代半導體產業的全面發展。（校對/holly）
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