IGBT的邏輯科普一下，全名叫絕緣柵雙極型晶體管，是由雙極型三極管和絕緣柵型場效應管組成的一種半導體器件，主要用於：新能源汽車、變頻白色家電、光伏.
IGBT(絕緣柵雙極型晶體管），是由 BJT(雙極結型晶體三極管) 和 MOS(絕緣柵型場效應管) 組成的複合全控型-電壓驅動式-功率半導體器件,其具有自關斷的特徵。簡單講，是一個非通即斷的開關，IGBT沒有放大電壓的功能，導通時可以看做導線，斷開時當做開路。IGBT融合了BJT和MOSFET的兩種器件的優點，如驅動功率小和飽和壓降低等。
IGBT模塊是由IGBT與FWD（續流二極管芯片）通過特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導體產品，具有節能、安裝維修方便、散熱穩定等特點。
IGBT是能源轉換與傳輸的核心器件，是電力電子裝置的“CPU” 。採用IGBT進行功率變換，能夠提高用電效率和質量，具有高效節能和綠色環保的特點，是解決能源短缺問題和降低碳排放的關鍵支撐技術。
IGBT是以GTR為主導元件，MOSFET為驅動元件的達林頓結構的複合器件。其外部有三個電極，分別為G-柵極，C-集電極，E-發射極。
IGBT的主要應用領域
作為新型功率半導體器件的主流器件，IGBT已廣泛應用於工業、 4C(通信、計算機、消費電子、汽車電子)、航空航天、軍工等傳統產業領域，以及軌道交通、新能源、智能電網、新能源汽車等戰略性新興產業領域。
簡單來說，芯片半導體，新能源汽車，航空航天等新興產業都離不開IGBT。
而華為才開始入場推進 IGBT 發展
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