2019年9月20日，合肥長鑫宣佈正式量產DDR4內存，他們成為第一個國產內存供應商。目前該公司官網上已經開始對外供應DDR4芯片、LPDDR4X芯片及DDR4模組。
關於長鑫的DDR4芯片、LPDDR4X芯片及DDR4模組我們之前有過詳細介紹，現在對他們來說最大的問題還是產能。
長鑫國產內存項目有三期，第一期投資約為72億美元，預計產能就有12.5萬片晶圓/月，這個產能跟SK海力士在無錫投資的內存工廠差不多規模，能佔到全球內存芯片產能的10%。
不過此前消息稱當前的產能還只有2萬片晶圓/月，對內存市場不會有什麼影響，預計今年底擴展到4萬片晶圓/月，這個產能大概能佔到全球內存產能的3%了。
在內存方面，三星是全球第一大內存供應商，份額能佔到45%左右，產能規模是國產公司的十幾二十倍之多，差距還很遙遠。
當然，除了產能上的差距之外，技術上的差距也是個問題，長鑫的內存還是19nm工藝，三星已經發展到了1Znm工藝，領先兩三代左右。
在2019年9月份的GSA+Memory存儲峰會上，長鑫存儲的董事長兼CEO朱一明發表了《中國存儲技術發展與解決方案》主題演講，提到了長鑫的DRAM內存技術來源，主要就是已破產的奇夢達公司，獲得了一千多萬份有關DRAM的技術文件及2.8TB數據。
長鑫公司在此基礎上將奇夢達46nm工藝的內存改進，研發出了10nm級的自主產權的內存芯片，耗資超過25億美元。
2019 年 9 月 21 日，在 2019 世界製造業大會上，合肥市政府與長鑫存儲技術有限公司、華僑城集團有限公司、北方華創科技集團股份有限公司等就合肥長鑫集成電路製造基地項目簽約。
合肥長鑫集成電路製造基地項目總投資超過 2200 億元，選址位於合肥空港經濟示範區，佔地面積約 15.2 平方公里，由長鑫 12 英寸存儲器晶圓製造基地項目、空港集成電路配套產業園和合肥空港國際小鎮三個片區組成。
其中長鑫 12 英寸存儲器晶圓製造基地項目總投資 1500 億元；空港集成電路配套產業園總投資超過 200 億元，位於長鑫存儲項目以西；合肥空港國際小鎮總投資約 500 億元，規劃面積 9.2 平方公里，總建築面積 420 萬平方米，位於長鑫存儲項目以北。
製造基地全部建成後，預計可形成產值規模超 2000 億元，集聚上下游龍頭企業超 200 家，吸引各類人才超 20 萬人。
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