鴨一嘴
長江存儲為了掌握關於存儲器的技術，並具備自主研發和製造存儲器的能力，以及進一步積累起研發和生產的經驗，已經在存儲器領域投入了相當多的資源，未來在該領域投入的資源同樣會是相當的大。長江存儲近期宣佈獲得了第一筆閃存芯片訂單（10776顆芯片），標誌著長江存儲在存儲器的研發和製造上正式開始上路了，但也只相當於是在萬里長征中正確地走出了第一步。事實上，紫光集團的董事長趙偉國已明確地表明瞭自己的態度，“板凳要坐十年冷”。
長江存儲在2018年內開始小批量生產第一款32層3D NAND閃存（64G），該款芯片是長江存儲集齊1000名左右的研發人員，在兩年裡耗資10億美金方才研發出來的；該款芯片一旦被長江存儲投入生產，應當會是採用20nm及以下的製程工藝。長江存儲研發第一款32層3D NAND閃存芯片已告成功，下一步就是研發第二款64層3D NAND閃存；樂觀估計的話，長江存儲在2019年就有可能開始量產第二款64層3D NAND閃存芯片。
長江存儲曾是在武漢新芯的基礎上成立起來的。武漢新芯先前一直給美國飛索半導體生產NAND閃存，還給兆易創新提供NOR閃存。所以，長江存儲在製造閃存方面是積累了一定的經驗和技術的。對長江存儲而言，飛索半導體的技術實力明顯是不夠的。長江存儲除了和飛索半導體合作研發NAND閃存外，還跟中科院微電子所進行合作。早在2017年2月，中科院微電子所在自己的官網上發佈了一則消息，即長江存儲與微電子所合作研發的首款32層3D NAND閃存取得突破。
另外，長江存儲也在內部培養和強化自己的研發團隊實力，其中不乏像高啟全、楊偉毅和孫世偉等臺灣半導體行業中大牛級的技術專才。比如，之前有媒體就引述高啟全的話稱，“3D NAND和DRAM技術絕對在大陸自主開發，技術不成熟時不會冒然投產”。根據長江存儲的規劃，DRAM內存的進度要慢於NAND閃存，長江存儲開始量產首款DRAM內存的時間最快該是在2020年。
我為科技狂
相信說到長江儲存，有一部分朋友會感覺到陌生。確實，長江儲存在坐了將近兩年的“冷板凳後，終於迎來了第一筆訂單！
長江存儲科技有限責任公司成立於2016年7月，主要從事半導體集成電路的研發。是由紫光集團聯合國家集成電路產業投資共同建造的國家存儲器基地項目。
而這次成功拿下這一大筆訂單，無疑意味著我國在半導體芯片行業中於發達國家的水平在逐步縮小，長江存儲董事長趙偉國在透露這個消息時這樣說道:“這標誌著中國集成電路閃存芯片產業規模化發展“零”的突破”。
相信在今年底，長江儲存就能實現國產3D閃存的小規模量產，所以我們用不了多久就能看到基於國產閃存的智能手機、SSD固態硬盤。
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