來源：本文翻譯自「eenews」，謝謝。
據初創公司Flosfia報道說，在常關配置下，其氧化鎵（GaO）功率半導體的性能優於碳化硅（SiC）。
Flosfia Ltd.（日本東京）成立於2011年，是將剛玉結構的氧化鎵（α-Ga2O3）用作功率半導體的先驅。該公司表示，在常關操作中，其溝道遷移率達到了72cm2 / Vs，而碳化硅為30cm2 / Vs。
然而，其他功率半導體可能需要施加功率來關閉晶體管，而這種技術具有在沒有電壓施加到柵極時會關閉的技術，這是用於安全系統的功率晶體管的重要特性。
Flosfia通過器件仿真計算了600V至1200V耐壓的GaO MOSFET的特性導通電阻，發現導通電阻約為市售SiC的50％或更小。
Flosfia已與Hakuto和Kyoei Sangyo簽署了協議，兩家公司將作為分銷商處理剛玉型氧化鎵功率器件。
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