晶體管越來越小，但是高性能計算需求越來越高，有些人就反其道而行之，嘗試製造超大芯片。
以前我們就見識過Cerebras Systems打造的世界最大芯片WSE，擁有46225平方毫米麵積、1.2萬億個晶體管、40萬個AI核心、18GB SRAM緩存、9PB/s內存帶寬、100Pb/s互連帶寬，功耗則高達15千瓦，而這個龐然大物也得到了美國能源部的青睞和部署。
相比之下，曾被稱作怪物的NVIDIA GV100大核心是全球最大的GPU核心，但也不過815平方毫米麵積、211億個晶體管，真是小巫見大巫了，差了足足56.7倍。
現在，臺積電、博通聯合宣佈，雙方將利用晶圓上芯片封裝(CoWos)技術，打造面積達1700平方毫米的中介層(Interposer)，是芯片蝕刻所用光掩模(光罩)尺寸極限858平方毫米的整整兩倍。
這樣規模的中介層顯然是無法一次性單個製造出來的，臺積電實際上是同時在晶圓上蝕刻多箇中介層，然後將它們連接在一起，組成一個整體。
工藝上，臺積電也用上了最先進的5nm EUV(N5)，它將在今年上半年投入量產。
所謂中介層，用途就是串聯不同裸片(Die)的橋樑，因為隨著現代芯片日益複雜，製造單個大型SoC的代價越來越大，所以行業普遍開發出了各種新的封裝技術，將不同的小芯片、模塊整合在一起，構成一顆大芯片。
博通就計劃用這個龐大無比的中介層，封裝多個SoC芯片，以及六顆HMB2內存，單顆容量16GB，總容量達96GB/s，帶寬也高達2.7TB/s。
看這規格，應該是三星最新的HBM2E 。
臺積電和高通未透露這種龐大芯片的具體規格，只是說將用於高性能計算領域。
另外，臺積電還在改進CoWoS封裝技術，所以未來不排除面積超過1700平方毫米的更大芯片。
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