什麼是晶體管？學過大學模擬電路以及做相關半導體通信行業的同仁相信並不陌生，先給大家發幾張晶體管的圖片，加深讀者的印象：
通過上述視頻，詳細大家已經很直觀的瞭解了晶體管是如何形成的！很好，接下來我們進行文字圖片上的解說：
一.晶體管的結構構成：
由上圖可知晶體管有基極，發射極，集電極構成，對於這三個極的摻雜情況用如下圖示說明（以NPN為例）：
通過上圖來一個晶體管三個電極的總結解說：
發射區高摻雜：為了便於發射結髮射電子，發射區半導體摻濃度高於基區的摻雜濃度，且發射結的面積較小;
基區尺度很薄:3~30μm，摻雜濃度低;
集電結面積大：集電區與發射區為同一性質的摻雜半導體，但集電區的摻雜濃度要低，面積要大，便於收集電子。
糾正一個通常的觀點：三極管不是兩個PN結的間單拼湊，兩個二極管是組成不了一個三極管的，它由兩個背靠背的PN結組成，關鍵是保證兩個PN結連接處的半導體晶體的連續性！
上面解說了晶體三極管的結構，相信大家對工藝方面比較感興趣吧！下面是作者蒐集資料整理的，供大家學習：
NPN成產製造工藝
好了，上面的解說都是圍繞晶體管的構成，結構，以及工藝進行解說，那麼接下來進行核心說明了：
三極管的PNP與NPN結構以及電流流向解說，先看如下圖示：
緊接著就是一般讀者比較感興趣的三極管PNP與NPN的放大條件解說：
總結起來就是一句話：發射結正偏，集電結反偏。在公式上進行電壓電流說明那就是
Ic=β*Ib。接下來給大家再解說一下晶體管的飽和與截止條件，加深讀者的理解：
飽和條件，一句話說明那就是發射結正偏，集電結也是正偏；在公式上進行電壓電流說明那就是Uce<=Ube,Ic<=β*Ib。
對於截止條件，也用一句話概述：發射結處於反偏，集電結也處於反偏狀態。此時Ic≈0.
最後對於晶體管電流特性來一個總的公式總結：
Ie=Ic+Ib
Ic=β*Ib
Ic≈Ie（Ib很小）
知道了晶體管的構成，工藝製程，以及電路原理以後，我們聊一下晶體管在實際生活中有哪些應用吧：
根據晶體管特性，最常見的作用是開關作用以及電路放大作用。
開關作用也就是讓晶體管處於飽和截止狀態；而用作放大時讓晶體管處於放大狀態即可。
好啦！通過本文對晶體管的解說，大家都一定有所收穫吧！歡迎大家下方留言交流，為了大家能實時看到作者關於硬件知識方面的解說，可以關注一下，你們的關注與轉發是我最大的動力！
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