MOSFET 推出內置保護功能的光耦

東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)今日宣佈,推出“TLP5231”,這是一款面向中大電流絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)和MOSFET的預驅動光耦,適用於工業逆變器和光伏(PV)的功率調節系統。這款全新的預驅動光耦內置多種功能[1],其中包括通過監控集電極電壓實現過流檢測。產品於今日起開始出貨。

东芝面向中大电流IGBT/MOSFET 推出内置保护功能的光耦

TLP5231 產品示意圖

新型預驅動光耦使用外部 P 溝道和 N 溝道互補的 MOSFET 作為緩衝器,來控制中大電流 IGBT 和 MOSFET。

目前現有產品[2]需要使用雙極型晶體管構成的緩衝電路來實現電流放大,這會在工作中消耗基極電流。新產品能夠使用外部互補 MOSFET 緩衝器,僅在緩衝器 MOSFET 的柵極充電或放電時消耗電流,有助於降低功耗。

通過改變外部互補 MOSFET 緩衝器的大小,TLP5231 能夠為各種 IGBT 和 MOSFET 提供所需的柵極電流。TLP5231、MOSFET 緩衝器以及 IGBT/MOSFET 的配置可用作平臺來滿足系統的功率需求,從而簡化設計。

其他功能包括:在檢測到 VCE(sat)過流後使用另一個外部 N 溝道 MOSFET 控制“柵極軟關斷時間”;另外,除了能通過監控集電極電壓檢測到 VCE(sat)之外,還有 UVLO[3]檢測,將任意故障信號輸出到一次側。以上這些現有產品[2]不具備的新特性,能夠讓 TLP5231 幫助用戶更輕鬆地設計柵極驅動電路。

應用:

  • IGBT 與功率 MOSFET 柵極驅動(預驅動)
  • 交流電機和直流無刷電機控制
  • 工業逆變器與不間斷電源(UPS)
  • 光伏(PV)電源調節系統

特性:

  • 內置有源時序控制的雙輸出,適用於驅動 P 溝道和 N 溝道互補 MOSFET 緩衝器。
  • 當檢測到過流時,通過使用另一個外部 N 溝道 MOSFET 實現可配置柵極軟關斷時間。
  • 當監控集電極電壓檢測到過流時或 UVLO 時,故障信號會輸出到一次側。

主要規格:

(除非另有說明,@Ta=-40 至 110℃,典型值@Ta=25℃)

东芝面向中大电流IGBT/MOSFET 推出内置保护功能的光耦
东芝面向中大电流IGBT/MOSFET 推出内置保护功能的光耦

註釋:

[1] 柵極信號軟關斷、故障反饋功能

[2] TLP5214、TLP5214A

[3] UVLO:欠壓鎖定

[4] 常見 VE


分享到:


相關文章: