此前中芯国际联席CEO梁孟松博士首次公开了中芯国际N+1、N+2代工艺的情况，透露N+1工艺相比于14nm性能提升20％、功耗降低57％、逻辑面积缩小63％，SoC面积缩小55％，之后的N+2工艺性能和成本都更高一些。
有媒体报道称，中芯国际推出的N+1以及N+2工艺节点分别对应台积电7nm和7nm+工艺，于是很多人理解成“N+1=7nm工艺”，并有许多媒体宣称中芯国际7nm制程年底开始量产。但事实并不是如此，中芯国际今天也再次详细地说明了N+1、N+2工艺的状况。
首先需要强调的是，N+1是中芯国际的内部代号，并不等于7nm。
据介绍，中芯国际N+1工艺在去年第四季度完成流片，目前正处于客户产品验证阶段，预计第四季度有限量产。
与市场上的7nm相比，中芯国际N+1在功耗、稳定性方面非常相似，唯一的区别就是性能，N+1的性能比14nm提高了约20％，但市场基准提升幅度是35％，所以有差距，但这也是唯一的差距。
如果是从功耗、稳定性方面而言，可以将中芯国际N+1称为7nm，而在性能方面确实要比7nm差。
中芯国际对N+1的目标是低成本应用，可以将成本相对市场上的7nm减少大约10％，因此是一个非常特殊的工艺节点。
从中芯国际描述上来看，可以理解为，N+1工艺更加接近于台积电10nm，N+2则接近于7nm，但性能不如。
梁孟松曾明确表示，中芯国际无需EUV就能达成7nm，当然后续的5nm、3nm是必须要有EUV的，目前台积电、三星都已导入EUV。因此未来得到EUV极紫外光刻机后，相信会进一步拉近与国际大厂差距。
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