時盡同學
手機的核心技術離不開最高端的設計，而這一方面中國的華為沒有任何問題。實際上還有更為關鍵的技術就是芯片的生產，SOC芯片的生產已經達到了量產的7nm，它是三星和臺積電的壟斷性技術，而生產這些芯片需要的設備是同代的7nm極紫外光光刻機，也就是題主所說的荷蘭的ASML。
由於美國擔心中國在手機核心技術可控生產上追平甚至超過自己，讓中國在整體架構上獨立自主，而不是一直像MOV一樣只購買他們應用層面的設備。美國給荷蘭光刻機生產商施加了巨大的政治壓力，迫使他們暫時放緩了對中芯國際訂購的7nm極紫外光光刻機出口許可。
原來生產的14nm芯片採用的是EUV工藝，要進行升級換代需要更高級的光刻機，中芯N+1是一種腦洞大開的技術工藝，暫時繞開了新的機器，採用了DUV的技術。與上代芯片比較提升了大概20％的性能，降低了一半的功耗和三分之一的面積，由於是採用了四重曝光（用先進光刻機只需要一次，良品率也高），這樣也就提高了成本，出品量率也降低了，而且生產的產品它並不等同於7nm，7nm提高的性能大概是35％。
只要是生產高端的SOC,光刻機一般是繞不過去的設備，到達5nm就沒法再採用N+1的方式加工，我們在光刻機的製造上距離最先進的荷蘭還有巨大的差距，不過我相信即使是繼續封鎖我們對於先進光刻機的採購，中芯一定會激發出潛力創造出一條令國人驚喜的路。
七色慧
去年，中芯國際表示開啟基於14nm FinFET製程的量產芯片。同時，也在努力開發下一代主要節點(N+1)，與中芯國際自家的14nm製程相比，N+1可在性能提升20%的同時降低57%的功耗、並將邏輯面積減少了63%。目前N+1是否可達到臺積電7nm可能存在一定疑問，應該能接近三星或者臺積電10nm工藝。不過可以肯定的是N+1繞開了ASML的EUV光刻機，也可以算是沒有光刻機的無奈之舉吧。未來若能獲得EUV光刻機，中芯可能才會真正達到量產7nm的水準。
錛鏞林中月
光刻機是光刻機，製程是製程[打臉]
