恆爍半導體推首款50nm NORFlash，助力國產迎接IoT時代真正爆發數碼頭條網

2020-04-09 13:33:41 與非網

與非網 4 月 9 日訊，近日，恆爍半導體推出了第一款面向物聯網應用的 50nm 128Mb 高速低功耗 NORFlash 存儲芯片，芯片尺寸為業界最小，具有很強的成本和性能優勢，力爭在該市場中站穩腳跟，迎接 IoT 時代的真正爆發。

作為國之重器，存儲器承擔著儘早實現國產替代的重任。在眾多半導體存儲器中，市場規模最大的是 DRAM 和 NAND Flash，兩者合計佔比達到 98%左右。而 NOR Flash的市場規模曾一度隨著功能手機的消亡而逐漸降低，佔比不足 1%。但值得一提的是，近年來隨著 IoT、5G、TWS、AMOLED 等下游市場的持續推動，NOR Flash 的市場空間正逐漸恢復，並再次獲得業內廠商的重視。

NOR Flash 市場的復甦無疑為國內 IC 廠商帶來了新的希望，其中在這一領域佈局多年的合肥恆爍半導體便緊抓市場機遇，並於近日推出第一款面向物聯網應用的 50nm 128Mb 高速低功耗 NOR Flash 存儲芯片，芯片尺寸為業界最小，具有很強的成本和性能優勢，力爭在該市場中站穩腳跟，迎接 IoT 時代的真正爆發。

而受益於 IoT 市場的爆發，從 2019 年下半年開始，NOR Flash 的需求量暴增，甚至一度出現缺貨局面。在此背景和趨勢下，恆爍半導體基於公司在 65nm NOR Flash 系列產品開發過程中積累了大量的經驗與技術，順勢而為提出並立項了研發更為先進的 50nm NOR Flash 系列產品。

據瞭解，恆爍 50nm NOR Flash 項目的產品採用目前業界最先進 / 尺寸最小的 50nm NOR Flash 工藝，具有芯片尺寸小、功耗低、速度快、成本低等特點。而該產品的創新點主要體現在尺寸和功耗兩個方面。

從尺寸上來看，由於恆爍 NOR Flash 存儲芯片採用新的 50nm 工藝技術，在優化模擬模塊設計和電路佈局的同時，使得芯片的單位存儲單元面積更小；此外在功耗方面，恆爍針對電路設計上的優化，使得其研發的 NOR Flash 芯片具有更低的功耗，以及更快的速度。

實際上從目前來看，行業內主流 NOR Flash 產品的工藝節點仍為 65nm，而在 2019 年，華邦推出了 58nm 系列產品，旺宏與兆易創新推出了 55nm 系列產品。因此，恆爍半導體基於未來 5 年 IoT 市場對於 NOR Flash 激增的市場需求，研發出更為先進技術工藝節點的 50nm 系列產品，從產品差異化路線出發，搶佔更多市場份額。

為更好地滿足 IoT 市場需求，恆爍 50nm NOR Flash 產品主要從三個方面進行了優化：首先，眾多 TWS 模塊和可穿戴產品由於面積小、厚度薄的特點，需要 1.5x1.5mm DFN 小型封裝或需要採用多芯片疊封形式，這便要求 NOR Flash 的尺寸儘量要小，目前主流的 NOR Flash 都是採用 65nm 製程，而採用更先進的 50nm 製程可減少 20%-30%的芯片尺寸，從而解決芯片尺寸過大的難題；其次，大部分 IoT 應用具備使用時間長和待機時間長的特點，因此迫切需要低功耗的 NOR Flash；最後，常規的 NOR Flash 通常有 3.3V 和 1.8V 這兩種電壓等級，而電池供電的終端設備需要在電池電力下降的時候仍然可以工作，這便催生出對 1.6V-3.3V 寬電壓 NOR Flash 的需求。