GTO的驱动电路有什么特点?

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GTO(Gate-Turn-Off Thyristor),门极可关断晶闸管,是一种通过门极来控制器件导通和关断的电力半导体器件,它的容量仅次于普通晶闸管,它应用的关键技术之一是其门极驱动电路的设计。

门极驱动电路设计不好,常常造成GTO晶闸管的损坏,而门极关断技术应特别予以重视。门极可关断晶闸管GTO的电压、电流容量较大,与普通晶闸管接近,因而在兆瓦级以上的大功率场合仍有较多的应用。

GTO驱动电路的特点是:GTO要求其驱动电路提供的驱动电流的前沿应有足够的幅值和陡度,且一般需要在整个导通期间施加正门极电流,关断需施加负门极电流,幅值和陡度要求更高,其驱动电路通常包括开通驱动电路,关断驱动电路和门极反偏电路三部分。

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor), 绝缘栅双极型晶体管的特点是:驱动电路具有较小的输出电阻,IGBT是电压驱动型器件,IGBT的驱动多采用专用的混合集成驱动器;GTR驱动电路的特点是:驱动电路提供的驱动电流有足够陡的前沿,并有一定的过冲,这样可加速开通过程,减小开通损耗;关断时,驱动电路能提供幅值足够大的反向基极驱动电流,并加反偏截止电压,以加速关断速度;MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor),金属氧化物半导体场效应管驱动电路的特点:要求驱动电路具有较小的,驱动功率小且电路简单。


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GTO是可关断可控硅,其主要特点为当门极加负向触发信号时晶闸管能自行关断。\r

GTO是可关断可控硅,与普通晶闸管(可控硅SCR)的驱动触发方法有本质的不同。普通晶闸管靠门极正信号触发之后,断开触发信号在相应的维持电流下亦能维持通态。想要使之关断,必须要切断电源,或者使通态电流低于维持电流,还可以施加反向高电压强行关断。实际运用中想要灵活的达到开和关的状态需增加专门的关断电路,而且极间纹波干扰也比较大。\r

​ 而GTO是可关断可控硅,它既保留了普通晶闸管耐压高、电流大等优点,也具备自关断能力,使用简单方便,是比较理想的高压、大电流开关器件。其特点为只要驱动电路提供足够的前沿驱动电流给控制门极上即可触发,关断只需要门极上加负向触发信号即可关断。


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