MOS管和三極管不同，是可以反向導通的
MOS管有三個腳，柵極(G)、漏極(D)和源極(S)。其中柵極(G)為導通的控制引腳。MOS分為N溝道和P溝道兩種。MOS管導通時，電流可以從漏極(D)流向源極(S)，電流也可以從源極(S)流向漏極(D)。
MOS管
MOS管導通分析
在增強型MOS中，漏極(D)和源極(S)之間會有一個背靠著的PN結，柵極(G)沒有施加電壓時，總會有一個PN結反偏，導通不了。當在柵極(G)施加電壓後，柵極(G)和硅襯底之間的SiO2絕緣層中就會產生一個柵極(G)指向硅襯底的電場。氧化物層兩邊形成一個電容，門極電壓等於對電容充電，受電壓吸引，電容另一邊聚集大量電子，形成導電溝道，MOS管開始導通，電流可以從漏極(D)流向源極(S)，也可以從源極(S)流向漏極(D)。
MOS管結構
MOS管正、反向導通應用
充電寶大家都用過了吧？有一種充電寶只有一個接口，充電和放電共用這個接口，它會自識別插入的是充電器還是手機，接上充電器時，自動對充電寶進行充電；接上手機時，自動切換為放電，對手機進行充電。這種設計就需要用到MOS的雙向導通特性了，充電時，電流從MOS的源極(S)流向漏極(D)，放電時，電流從漏極(D)流向源極(S)。
MOS管正反向導通
MOS管驅動電路
MOS是電壓驅動型器件，驅動電壓滿足它的門極開啟電壓（Vgs）就可以讓它導通。
N溝道MOS管：DR為高電平時導通
P溝道MOS管：DR為低電平時導通
MOS驅動電路
在設計MOS驅動電路時，一定要注意它的門極開啟電壓（Vgs)。如果門極驅動電壓不足，會導致MOS導通不完全，內阻增大，發熱量增加。
如果單片機的GPIO驅動電壓不夠，可以加入三極管驅動，用三極管的集電極電壓驅動MOS管導通。
MOS管驅動電路
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