刻蝕機和光刻機的區別：光刻機把圖案印上去，然後刻蝕機根據印上去的圖案刻蝕掉有圖案（或者沒有圖案）的部分，留下剩餘的部分。刻蝕相對光刻要容易。如果把在硅晶體上的施工比成木匠活的話，光刻機的作用相當於木匠在木料上用墨斗劃線，刻蝕機的作用相當於木匠在木料上用鋸子、鑿子、斧子、刨子等施工。蝕刻機和光刻機性質一樣，但精度要求是天壤之別。木匠做細活，一般精確到毫米就行。做芯片用的刻蝕機和光刻機，要精確到納米。現在的手機芯片，如海思麒麟970，高通驍龍845都是臺積電的10納米技術。10納米有多小呢？打個比方。如果把一根直徑是0.05毫米頭髮絲，按軸向平均剖成5000片，每片的厚度大約就是10納米。現在世界上最先進的光刻機是荷蘭的ASML公司，最小到10納米。臺積電買的都是它的光刻機。ASML公司實際上是美國、荷蘭、德國等多個國家技術合作的結果。因為這方面的研究難度太大，單個國家完成不了。除了ASML，世界上只有我們還在高端光刻機上努力研發。
我們是受到技術禁運的，不能買他最先進的產品，國內上海量產的是90納米的光刻機。技術上有差距。2017年，長春光機所“極紫外光”技術獲得突破，預計能達到22-32納米，技術差距縮小了。
我相信，不久的將來，我們的科技人員一定能研製出世界一流的光刻機，不再被卡脖子。核心技術、關鍵技術、國之重器必須立足於自己。科技的攻關要摒棄幻想，靠我們自己。
我們刻蝕機技術已經突破，5納米的刻蝕機我們也能自主生產，現在卡脖子的是光刻機。在芯片加工過程中，光刻機放樣，刻蝕機施工，清洗機清洗。然後反覆循環幾十次，一般要500道左右的工序，芯片——也就是晶體管的集成電路才能完成。放樣達不到精度，刻蝕機就失去用武之地了。
什麼是光刻機
光刻機（Mask Aligner） 又名：掩模對準曝光機，曝光系統，光刻系統等。一般的光刻工藝要經歷硅片表面清洗烘乾、塗底、旋塗光刻膠、軟烘、對準曝光、後烘、顯影、硬烘、刻蝕等工序。
Photolithography（光刻）意思是用光來製作一個圖形（工藝）；在硅片表面勻膠，然後將掩模板上的圖形轉移光刻膠上的過程將器件或電路結構臨時“複製”到硅片上的過程。
光刻的目的
使表面具有疏水性，增強基底表面與光刻膠的黏附性。
光刻機工作原理
上圖是一張光刻機的簡易工作原理圖。下面，簡單介紹一下圖中各設備的作用。
測量臺、曝光臺：承載硅片的工作臺，也就是本次所說的雙工作臺。
光束矯正器：矯正光束入射方向，讓激光束儘量平行。
能量控制器：控制最終照射到硅片上的能量，曝光不足或過足都會嚴重影響成像質量。
光束形狀設置：設置光束為圓型、環型等不同形狀，不同的光束狀態有不同的光學特性。
遮光器：在不需要曝光的時候，阻止光束照射到硅片。
能量探測器：檢測光束最終入射能量是否符合曝光要求，並反饋給能量控制器進行調整。
掩模版：一塊在內部刻著線路設計圖的玻璃板，貴的要數十萬美元。
掩膜臺：承載掩模版運動的設備，運動控制精度是nm級的。
物鏡：物鏡由20多塊鏡片組成，主要作用是把掩膜板上的電路圖按比例縮小，再被激光映射的硅片上，並且物鏡還要補償各種光學誤差。技術難度就在於物鏡的設計難度大，精度的要求高。
硅片：用硅晶製成的圓片。硅片有多種尺寸，尺寸越大，產率越高。題外話，由於硅片是圓的，所以需要在硅片上剪一個缺口來確認硅片的座標系，根據缺口的形狀不同分為兩種，分別叫flat、notch。
內部封閉框架、減振器：將工作臺與外部環境隔離，保持水平，減少外界振動干擾，並維持穩定的溫度、壓力。
光刻機分類
光刻機一般根據操作的簡便性分為三種，手動、半自動、全自動。
A 手動：指的是對準的調節方式，是通過手調旋鈕改變它的X軸，Y軸和thita角度來完成對準，對準精度可想而知不高了；
B 半自動：指的是對準可以通過電動軸根據CCD的進行定位調諧；
C自動：指的是從基板的上載下載，曝光時長和循環都是通過程序控制，自動光刻機主要是滿足工廠對於處理量的需要。
光刻機可以分為接近接觸式光刻、直寫式光刻、以及投影式光刻三大類。接近接觸式通過無限靠近，複製掩模板上的圖案；投影式光刻採用投影物鏡，將掩模板上的結構投影到基片表面；而直寫，則將光束聚焦為一點，通過運動工件臺或鏡頭掃描實現任意圖形加工。光學投影式光刻憑藉其高效率、無損傷的優點，一直是集成電路主流光刻技術。
光刻機應用
光刻機可廣泛應用於微納流控晶片加工、微納光學元件、微納光柵、ＮＭＥＭＳ器件等微納結構器件的製備。
刻蝕機是什麼
實際上狹義理解就是光刻腐蝕，先通過光刻將光刻膠進行光刻曝光處理，然後通過其它方式實現腐蝕處理掉所需除去的部分。隨著微製造工藝的發展；廣義上來講，刻蝕成了通過溶液、反應離子或其它機械方式來剝離、去除材料的一種統稱，成為微加工製造的一種普適叫法。
刻蝕機的原理
感應耦合等離子體刻蝕法（InducTIvely CoupledPlasma Etch，簡稱ICPE）是化學過程和物理過程共同作用的結果。它的基本原理是在真空低氣壓下，ICP 射頻電源產生的射頻輸出到環形耦合線圈，以一定比例的混合刻蝕氣體經耦合輝光放電，產生高密度的等離子體，在下電極的RF 射頻作用下，這些等離子體對基片表面進行轟擊，基片圖形區域的半導體材料的化學鍵被打斷，與刻蝕氣體生成揮發性物質，以氣體形式脫離基片，然後從真空管路被抽走。
