每月全球存儲十大新聞(2020.9.1-9.30)精彩9月

新聞摘要:

每月全球存儲十大新聞(2020.9.1-9.30)精彩9月

(1)臺積電官宣2nm建廠,對此三星毫不示弱

(2)中芯國際公告稱:只為民用和商用的終端用戶提供產品及服務

(3)華瀾微停牌新三板後,闖關科創板已輔導備案

(4)AMD、Intel續供華為,下一步就看三星和臺積電的了

(5)Pure Storage以3.7億美元收購容器存儲廠商Portworx

(6)迎接下一個時代,英偉達官宣400億美元收購Arm

(7)超算存儲領先公司Panasas的COO直接升任CEO

(8)Maze黑客幫聲稱,SK Hynix和LG電子都遭遇了網絡安全攻擊

(9)世界上最重要的兩家硬盤廠商,發佈最新財報

(10)英特爾(Intel)有史以來第三次換標

每月全球存儲十大新聞

Monthly Worldwide Top10 Storage News (MWTSN)每月發佈歡迎關注

每月全球存儲十大新聞(2020.9.1-9.30)精彩9月

(1)臺積電官宣2nm建廠,對此三星毫不示弱

每月全球存儲十大新聞(2020.9.1-9.30)精彩9月

【全球存儲觀察 | 新聞速遞】每一次數據存儲行業的變遷與進步,都離不開存儲芯片廠的默默貢獻。當然,豐厚的利潤,也吸引了臺積電與三星電子等存儲芯片製造商不斷革新工藝,相互之間的競爭也由來已久。

從而,也上演了一場又一場精彩紛呈的芯片製造先進工藝擂臺賽。

這不,在2納米與3納米先進製程上,又發生了新故事。


臺積電官宣新路線圖,確認2nm芯片廠計劃

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本週早些時候,臺積電在年會上公佈了未來兩年的新路線圖。根據GSMArena的一份報告,在這次活動中,全球最大的代工芯片製造商分享了一些有趣的事情,比如正在為2nm芯片建立一個新的製造廠。

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臺積電已經開始其2nm製造廠的工作,並正在建設一個新的工廠和研發中心。該公司將僱用大約8000名員工,幫助實現3nm芯片的發展,預計到2022年底,3nm芯片將進入消費市場。值得注意的是,臺積電的高級副總裁YP Chin證實,臺積電已經在新竹購買土地,擴大研發中心。

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此外,2nm工藝節點將在GAA (Gate-All-Around) 技術上開發,而不是用於3nm晶圓廠的FinFET解決方案。這項技術是半導體工業的下一代發展方向。同樣,三星已經宣佈計劃在2022年前將GAA用於3nm工藝技術。因此,臺積電的官宣加入代表下一代芯片製造業競爭的一個新兆頭。


三星電子毫不示弱,2019提前佈局3nm

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同時,我們也看到之前有可靠的消息稱,三星下定決心在2022年推出3nm芯片製程工藝的製造,並將對晶體管技術進行一些重大改進。我們已經提到,三星正在致力於Gate-All-Around FET全環繞柵極FET技術,這將帶來更好的晶體管通道控制,防止在較小的節點洩漏。然而,三星後來又增加了一些關於其即將推出的Multi Bridge Channel FET(MBCFET)多橋通道FET技術的更多細節,該技術被簡單地稱為MBCFET。多虧了Hardwareluxx的報告,我們對MBCFET技術及其特點有了更多的瞭解。

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首先,值得注意的是,MCBFET是GAAFET技術的一部分,這意味著GAAFET不是一種產品,而是基於其概念的多個產品。就MCBFET的性能而言,三星表示,該項技術將減少50%的功耗,同時提高30%的性能。預計每一個晶體管的硅空間將減少約45%,這是基於比較未指明的7nm工藝,可能是三星使用FinFETs的工藝。

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MCBFET這項技術允許將晶體管堆疊在一起,這使得它與普通的FinFET相比佔用的空間更小。由於MCBFET-GAA晶體管使其晶體管寬度變得靈活,這意味著整體堆疊晶體管的寬度可以達到設計者需要的寬度,可以根據低功耗或高性能等任何情況進行調整。

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不過,全球存儲觀察的阿明(Aming)也看到三星針對3納米芯片製程工藝的突破消息是在2019年5月。當時有消息傳出說:三星與IBM合作開發GAAFET(Gate All-Around)芯片製程工藝技術,但三星卻對外公佈的是對早期工藝的定製,被稱為MBCFET,它可以通過用納米片代替柵極周圍的納米線來獲得更大的每層電流。這種替代增加了傳導面積,並允許在不增加側向足跡的情況下增加更多的柵極。

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與傳統的FinFET設計不同,GAAFET允許柵極材料從四面八方包圍通道。MBCFET的設計將改善該工藝的開關特性,並允許處理器將工作電壓降低到0.75V以下。MBCFET的一個關鍵點是該工藝完全兼容FinFET設計,不需要任何新的製造工具。

與7nm的FinFET技術相比,3nm-MBCFET技術的功耗和表面積分別降低了30%和45%。這個數字與阿明最新看到的數字比較基本相符。

如此而言,臺積電(TSMC)和三星(Samsung)之間顯然是一場芯片工藝製程的長期擂臺賽,看誰能先製造出更小尺寸芯片擁有更高性能更低功耗。


(2)中芯國際公告稱:只為民用和商用的終端用戶提供產品及服務

【全球存儲觀察 | 新聞速遞】9月28 日,中芯國際集成電路製造有限公司董事會發布公告,表明中芯國際只為民用和商用的終端用戶提供產品及服務,與中國軍方毫無關係,也沒有為任何軍用終端用戶生產。

公告全文如下:

中芯國際集成電路製造有限公司(以下簡稱“中芯國際”或“本公司”) 注意到2020 年 9 月 26日(星期六),有媒體網絡問詢或者轉發著一份疑似由美 國商務部工業與安全局(Bureau of Industry and Security)簽發的文件,根據該 文件內容顯示,針對中芯國際及其子公司和合資公司出口的某些產品,將受到 出口管制。

截至本公告披露日,本公司並未收到此類官方消息。本公司重申,中芯國際只為民用和商用的終端用戶提供產品及服務。本公司和中國軍方毫無關係, 也沒有為任何軍用終端用戶生產。

本公司將持續關注相關信息,並將嚴格按照相關法律法規履行信息披露義 務,敬請廣大投資者理性投資,注意投資風險。

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(3)華瀾微停牌新三板後,闖關科創板已輔導備案

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【全球存儲觀察 | 新聞速遞】9月17日,浙江證監局披露了杭州華瀾微電子股份有限公司輔導備案公示文件。文件顯示,財通證券已受聘擔任華瀾微首次公開發行人民幣普通股(A股)並上市的輔導機構,輔導時間大致為2020年9月至2021年1月。同時,駱建軍為公司董事長、總經理,周斌為公司COO,劉海鑾及樓向雄分別為公司研發部總監和資深工程師。

華瀾微積累和掌握多種高速接口技術,建立起了固態硬盤多核並行、模塊陣列等多個先進架構,在存儲領域的產品覆蓋了存儲卡、USB盤、固態硬盤系列;該公司於2015年併購了美國initio(晶量)公司的橋接(Bridge)芯片產品線,形成了initio®Bridge芯片系列;同時,華瀾微是國內極少數具有信息安全算法芯片技術的公司。2019年12月,華瀾微以1.2億元完成對北京大數據技術公司初志科技有限公司的收購。

2019年8月,華瀾微宣佈終止新三板掛牌。現在新一輪IPO目標應該是科創板。


(4)AMD、Intel續供華為,下一步就看三星和臺積電的了

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阿明(Aming)微評:看到昨天的兩則消息後,我覺得,為此,兩大全球芯片廠商相繼恢復對華為的供應,這樣子的話,可以讓華為上海HC大會迎來利好的消息。

對於華為被芯片圍困的現實,一方面,需要供應商申請獲得芯片供應特批許可,但不代表所有的供貨全面恢復正常;另一方面,還有三星、臺積電目前未發出新的供貨消息,因而還處於對華為的斷供狀態。實際上,三星與臺積電對華為手機業務的供應更為直接,而華為手機業務已經佔到華為整體業務的舉足輕重的地位。

來自華為財報公佈的信息:2020年上半年,實現銷售收入4,540億元人民幣,同比增長13.1%, 淨利潤率9.2%。其中,運營商業務收入為1,596億元人民幣,企業業務收入為363億元人民幣,消費者業務收入為2,558億元人民幣。而手機業務屬於消費者業務的主體。可見華為手機業務在公司總體業務收入中佔比一半左右。

因此,對於華為更為重要的供貨方:三星與臺積電後續會如何舉措,值得進一步關注。

【全球存儲觀察| 新聞速遞】9月21日,英特爾已獲得向華為供貨許可。隨後該消息獲得英特爾方面證實。

9月21日,美國芯片另一個龍頭公司AMD在德銀技術大會上也向外透露,公司已經獲得對華為供貨的許可證。

(新聞來源:新浪財經)


(5)Pure Storage以3.7億美元收購容器存儲廠商Portworx


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