极紫外光刻，简称EUV，是一种先进的光刻技术。
近期，作为全球最大的晶圆代工厂，台积电（TSMC）宣布自己成为首家将EUV光刻技术商业化的芯片制造商。台积电在一份新闻声明中表示，它已在迅速部署产能，以满足多个客户的迫切需求。
Arete Research高级分析师Jim Fontanelli说“台积电在EUV芯片领域显然处于领先地位，无论是所用的工具还是订购的工具，生产的商用EUV芯片数量，还是将EUV集成到未来路线图中。”
他说，目前的领先优势是7nm制程技术，其中约三层是使用EUV完成的。据Fontanelli称，到2020年，台积电将在下半年将5nm的产能增加到大约15层，然后在2020年底将6nm的产能增加到大约4层。
他说，由于7nm晶圆的有限供应量，AMD可能成为台积电7nm的主要客户，但华为将在5nm供应上领先，苹果紧随其后，双方都希望利用芯片尺寸优势，以及正常的功率和速度改进。与此同时，联发科可能成为台积电6nm的主要客户，因为在7nm上的晶圆供应有限。
作为台积电代工业务的主要竞争对手，三星表示EUV一直难以实现，但该技术将成为芯片生产更精细功能的关键。EUV光刻的功率目标至少为250w，而其他传统光刻源的功率目标要小得多。浸泡式光刻光源的目标功率为90w，干燥ArF(氟化氩)光源功率为45w, KrF(氟化氪)光源功率为40w，高钠EUV源预计至少需要500w。
然而，EUV提供了关键优势，可以抵消在7纳米及更高级节点上制造芯片的高昂费用。三星表示，EUV可以将掩模水平降低约20％，从而缩短了生产周期。利用EUV工艺的芯片设计人员可以避免使用193nm浸没式光刻技术时晶圆厂一直在努力的三重和四重图案化技术。
“过去的每个月都让这种越来越强大的技术变得更有吸引力，对前沿半导体行业来说也变得更加必要，”三星代工业务首席专家永珠全(Yongjoo Jeon)表示。
据Arete分析师Fontanelli称，去年年底三星推出了EUV和7LPP节点，产品内部用于三星的应用处理器，也可能用于高通，但量不大。他说，三星计划明年推出6纳米EUV，并在2021年量产5纳米EUV。
Fontanelli说:“关键的问题是晶圆的体积 —— 虽然三星保证了手机的内部体积，但他们的外部客户数量有限，高通是他们的主要客户。”他补充称，三星可能会把高通的部分业务拱手让给台积电。
EUV三重奏
目前，只有三个芯片制造商（台积电，三星和英特尔）计划在其生产路线图中采用EUV。丰塔内利表示，英特尔位居第三。
Fontanelli说：“英特尔承诺将在2021年的某个时候，推出EUV 7纳米芯片。” “由于工艺要求的差异，芯片层数会低于5nm的TSMC，可能少于10层。”
英特尔仍然是EUV竞赛中的黑马。VLSI Research首席执行官Dan Hutcheson表示：“英特尔是这三者中的佼佼者，因为它无需为了销量而公开其研发进展，而是一直善于将其光刻工具推向一个新的节点。” 。 “多年来，英特尔一直是EUV的积极推广者。英特尔没有在市场上夸耀EUV的需求，因此他们只有在已经确定生产计划后才会宣布。”
IC Insights副总裁Matas指出，英特尔原本计划在2017年推出7nm制程处理器，但14nm制程和10nm制程的延迟将该公司推出7nm制程处理器的计划推迟到2021年。2019年5月，英特尔高管表示其7nm技术将挑战台积电计划的5nm制程的性能。
EUV的普及
EUV技术的完全普及可能还需要几年时间，这让小规模的芯片制造商松了口气，他们可以短时间内继续使用原有的光刻工具。
Linley Group的首席分析师Linley Gwennap说:“EUV只适用于最小的功能，所以我们预计晶圆厂将继续在大多数层上使用光学元件。”台积电表示，7nm+将EUV用于4层，而下一代5nm节点将EUV用于14层。随着晶体管的不断缩小，EUV需要更多的层。”
Gwennap表示，尽管台积电表示，其7nm处理器的产量不错，但我们尚未看到任何搭载7nm+处理器的手机。他指出，华为的Mate 30手机使用的是7nm麒麟990，而不是7nm+ 5G版本。Gwennap表示，相比之下，三星自8月起就开始在Note 10智能手机中搭载7纳米EUV芯片，因此收益率必须合理。
“英特尔至少落后了两年，它的第一款EUV产品最多也要到2021年底才能推出，”Gwennap说。
