新的WD闪存技术可提高SSD的性能和容量
固态存储市场继续以加速的速度发展，以与不断增长的数据量保持同步。早期的固态驱动器具有SLC（单级单元）NAND闪存。然后是MLC（多层单元），然后是等等，随着制造商增加单元密度，以帮助降低成本，并最终相对于传统的旋转磁介质，提高了固态存储每GB的成本。这是一个简化的解释，并且多年来显然也取得了其他进展，但是通常这就是NAND在SSD领域的发展方式。
今天，西部数据（WD）宣布推出一种新的NAND闪存，它将继续推动NAND容量和性能的提高，同时还优化成本。WD宣布已与制造合作伙伴Kioxia Corporation（以前是东芝）联合运营，成功开发了技术。
Western存储器技术与制造高级副总裁Steve Paak博士说："在进入下一个十年的时候，一种新的3D NAND缩放方法对于持续满足不断增长的数据量和数据速率的需求至关重要。"数字。"我们成功生产的BiCS5体现了Western Digital在闪存技术方面的持续领导地位以及对我们路线图的强大执行力。通过利用多层存储孔技术的新进步来横向增加密度并增加更多的存储层，我们显着扩展了3D NAND技术的容量和性能，同时继续提供客户期望的可靠性和成本。"
WD的BiCS5技术相对于上一代产品在纵向和横向上均可扩展。它目前基于和四级单元（QLC）技术构建，并利用WD所谓的第二代多层存储孔技术，具有112层的垂直存储功能。WD声称，BiCS5比以前的BiCS4技术（最多可容纳96层）提供的每个晶片的位最多增加40％，I / O性能提高50％。WD已开始以512Gb的容量开始生产BiCS5 TLC，并且已经在交付采用该新技术的消费类产品。但是，在2020年下半年，WD预计容量将一直增加到1.33Tb。