英特爾：傲騰！傲騰！傲騰！
傲騰固態硬盤依然是英特爾的重心。下圖為英特爾展示Optane SSD DC P4800X用於加速運算的效果。
現階段傲騰只有固態硬盤一種形式，英特爾還在繼續研發DDR4內存條形式的傲騰內存，後者將具備更高的讀寫速度和更低的訪問延遲。下圖為FMS現場英特爾展臺的傲騰DC P4800X性能演示。
在與FMS同期的另一場活動——數據中心創新峰會（DATA-CENTRIC INNOVATION SUMMIT）上，英特爾向谷歌平臺業務副總裁巴特·薩諾(BartSano)移交了第一顆Optane傲騰NVDIMM內存條。
儘管只是一顆工程樣品，這樣的儀式性活動還是象徵著英特爾在繼續推動"傲騰內存"的終極形態問世，讓人為之充滿期待。
東芝：高性能閃存這條路，我跟了
英特爾的傲騰很快就不會寂寞了，東芝在FMS2018上宣佈3D XL高性能閃存計劃，以低延遲為主要賣點，直指英特爾3D XPoint技術。
東芝在介紹中並未提及耐久度方面的目標，但3D XL初期將以SLC的形態出現，耐久度應該不是問題。3D XL用降低字線和位線長度、增加Plane面數量提升併發度來增強閃存性能，延遲相當於TLC閃存的十分之一。東芝計劃用高性能3D XL閃存搭配普通QLC閃存實現高效、低成本的企業級熱數據分層方案。
同時，東芝還有計劃發展MLC形態的3D XL，以期持續降低成本，使其未來有機會進入到消費級市場。
美光：是我第一個推出QLC閃存
儘管現在四大廠都宣佈了QLC，但美光無疑是進度最快的一個。最近剛與英特爾在閃存合作上分道揚鑣的美光絕口不提3D XPoint：QLC閃存才是美光的重點。有意思的是英特爾660p才是第一個將3D QLC應用到消費級固態硬盤中的產品，Intel 660p使用了英特爾與美光合作研發的64層3D QLC閃存。
SK Hynix：讓我們玩個文字遊戲
SK Hynix在FMS閃存峰會上宣佈了能夠引領未來10年發展的4D閃存技術！
聽上去很牛掰有木有？其實這是一個文字遊戲，並非3D閃存的革命性升級，而是偷換概念玩文字遊戲。所謂4D NAND閃存，其實是將存儲單元外的周邊電路置於單元下方，使3D閃存的存儲密度更大，空間利用率更高。
SK Hynix現在提出的4D NAND：PUC（Peri. Under Cell）跟英特爾/美光早在2年前就開始應用的CuA（CMOS Under Array）其實是一類東西。"4D NAND"包含的理念是先進的，但卻不再是革命性的創新了。
SK Hynix將從96層堆疊開始使用"4D NAND"結構，QLC閃存則將在明年下半年問世。SK Hynix還很樂觀的認為3D堆疊技術未來至少可以發展到500層以上的堆疊高度，但並沒有為這個遠期目標設立明確的時間表，或許只是像英特爾當年提出10Ghz的Pentium 4一樣放個衛星。
三星：我就蹭蹭，不進去
往年活躍在FMS上的三星今年並沒有參會。但三星在FMS閃存峰會期間宣佈量產4TB容量3D QLC固態硬盤的消息，蹭熱點的意圖明顯。
4TB並不是容量上的新成就，早在2年前三星就宣佈了4TB容量的850Pro及850Evo，分別使用了3D MLC和3D TLC閃存。對於家用QLC固態硬盤，大家更關心的是價格和耐久。
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