2013年韩国三星宣布量产3D V-NAND。3D NAND的出现，使得单DIE闪存拥有了更大的容量，降低了闪存成本，提升了生产效能。因此3D NAND技术成为了2013年至今，全球闪存厂商研究和发展的主要方向。然而在全世界几乎所有闪存厂商都在研究3D NAND层数，甚至在炒QLC的剩饭时，个别闪存厂商却改换了思路，并使得闪存技术获得了突破性的发展。
8月7日在美国的Flash Memory Summit峰会上，海力士推出了业内第一款4D NAND：V5 512Gb TLC。这款闪存采用96层堆叠、I/O接口速度1.2Gbps（ONFi 4.1标准）、面积13平方毫米，预计今年Q4季出样。海力士的4D闪存预计单DIE BGA封装可做到2TB，做成固态硬盘最大容量可达到64TB。海力士V5 4D芯片面积相较于V4 3D减小20%、读速提升30%、写速提升25%。SK海力士称，4D NAND采用了CTF（Charge Trap Flash，电荷捕获型）比Floating Gate（浮栅型）存储单元面积更小、速度更快、更耐用（P/E次数多）,该技术和长江存储的XtackingTM技术相似。
几乎在海力士发布了4D NAND的同时，长江存储也发布了新一代闪存，新一代闪存采用了XtackingTM技术。长江存储称XtackingTM技术只需一个处理步骤就可通过数百万根金属VIA(Vertical Interconnect Accesses，垂直互联通道)将二者键合接通电路，而且只增加了有限的成本。而利用XtackingTM技术，闪存有望大幅提升NAND的I/O速度，使得I/O速度能够达到3.0Gbps，这比现在的3D NAND的速度快2-3倍。长江存储表示，预计XtackingTM闪存将有望在2019年实现量产。这意味着我国在新一代闪存技术上已经走到了世界的前沿，我国闪存制造行业有望在未来实现弯道超车。我国闪存制造这么给力，让国内固态硬盘制造行业、固态硬盘消费市场看到了打破垄断、国产替代的希望。
前一段时间全球各大闪存厂商量产96层3D QLC NAND的消息闹得沸沸扬扬。结果才一个星期不到，4D NAND、XtackingTM反手就是一耳光，告诉了96层3D QLC NAND，谁才是未来的主角。
閱讀更多 知儲俠 的文章
