我國研製超分辨光刻裝備取得重大進展

中國網/中國發展門戶網訊(記者 孔令瑤)11月29日,由中國科學院光電技術研究所承擔的國家重大科研裝備——超分辨光刻裝備項目在成都通過驗收。

微納光刻技術是現代先進製造的重要方向,是信息、材料等諸多領域的核心技術,其水平高低也是體現一個國家綜合實力的標誌。然而,由於歷史原因,我國在此領域長期落後於並受制於西方發達國家;另外一方面,光學超材料、變革性光學等諸多顛覆性技術的出現,迫切需要發展專用的微納製造工具。

我国研制超分辨光刻装备取得重大进展

中科院光電所科研人員操作超分辨光刻設備。中科院科技攝影聯盟供圖。

2012年,中國科學院光電技術研究所承擔了國家重大科研裝備——超分辨光刻裝備項目。經過近6年艱苦攻關,在無國外成熟經驗可借鑑的情況下,項目組突破了高均勻性照明,超分辨光刻鏡頭,納米級分辨力檢焦及間隙測量,超精密、多自由度工件臺及控制等關鍵技術,完成了國際上首臺分辨力最高的超分辨光刻裝備研製。

我国研制超分辨光刻装备取得重大进展

項目副總設計師胡松研究員介紹超分辨光刻裝備研製項目攻關情況。中科院科技攝影聯盟供圖。

項目副總設計師胡松研究員介紹,項目組結合實際應用需求,通過技術的延伸,實現了系列化的超分辨光刻裝備研製,解決了多種微納功能材料和器件的加工難題,並實現了相關器件的製造。相關器件已在航天八院、電子科大太赫茲科學技術研究中心、四川大學華西醫院、中科院微系統所信息功能材料國家重點實驗室等多家科研院所和高校的重大研究任務中取得應用。

表面等離子體超分辨光刻裝備的成功研製,打破了傳統光學光刻分辨力受光源波長及數值孔徑的傳統路線格局,形成了一條全新的納米光學光刻技術路線,具有完全自主知識產權,為超材料/超表面、第三代光學器件、廣義芯片等變革性戰略領域的跨越式發展提供了製造工具。後續需進一步加大裝備的功能多樣化研發和推廣應用力度,推動國家相關領域發展。


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