近日，耐威科技发布公告称，其控股子公司聚能晶源成功研制“8英寸硅基氮化镓（GaN-on-Si）外延晶圆”，聚能晶源也因此成为截至目前公司已知全球范围内领先的可提供具备长时可靠性的8英寸GaN外延晶圆的生产企业，但当期尚未实现量产。
耐威科技发力第三代半导体有成效
2018年，为布局并把握宽禁带化合物半导体材料（即第三代半导体材料）产业的发展机遇，耐威科技先后投资设立了控股子公司聚能创芯和聚能晶源。其中，耐威科技持有聚能创芯35%的股权，持有聚能晶源40%的股权。
资料显示，聚能晶源主要从事半导体材料，尤其是氮化镓（GaN）外延材料的设计、开发、生产，主要聚焦相关材料在航空电子、5G通信、物联网等领域的应用，完善并丰富公司产业链。
自成立以来，聚能晶源先后攻克了GaN与Si材料之间晶格失配、大尺寸外延应力控制、高耐压GaN外延生长等技术难关，成功研制了达到全球业界领先水平的8英寸硅基氮化镓（GaN-on-Si）外延晶圆。
据了解，该型外延晶圆在实现了650V/700V高耐压能力的同时，保持了外延材料的高晶体质量、高均匀性与高可靠性，可以完全满足产业界中高压功率电子器件的应用需求。
耐威科技表示，在采用国际业界严苛判据标准的情况下，聚能晶源研制的外延晶圆在材料、机械、电学、耐压、耐高温、寿命等方面具有性能优势，能够保障相关材料与技术在5G通讯、云计算、快充电源、无线充电等领域得到安全可靠的应用。
公告称，本次“8英寸硅基氮化镓（GaN-on-Si）外延晶圆”的研制成功，短期内不会对公司的生产经营产生重大影响，但有利于公司加快在第三代半导体材料与器件领域的技术储备，有利于增强公司核心竞争力并把握市场机遇。
第三代半导体材料有何优势？
据悉，第三代半导体材料主要包括碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、金刚石等，与第二代半导体硅（Si）、砷化镓（GaAs）等材料相比，第三代半导体材料氮化镓（GaN）具有更大的禁带宽度（>3 eV），一般也被称为宽禁带半导体材料。
得益于禁带宽度的优势，GaN材料在击穿电场、本征载流子浓度、抗辐照能力方面都明显优于Si、GaAs等传统半导体材料。
此外，GaN材料在载流子迁移率、饱和载流子浓度等方面也较Si更为优异，因此特别适用于制作具有高功率密度、高速度、高效率的功率与微波电子器件，在5G通讯、云计算、快充电源、无线充电等领域具有广泛的应用前景。
与此同时，将GaN外延生长在硅衬底之上，可以有效地结合GaN材料的高性能以及成熟Si晶圆的大尺寸、低成本优势。基于先进的GaN-on-Si技术，可以在实现高性能GaN器件的同时将器件制造成本控制在与传统Si基器件相当的程度。
因此，GaN-on-Si技术也被业界认为是新型功率与微波电子器件的主流技术。
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