中芯國際2月14日發佈截至2018年12月31日止的2018年Q4財報及2018年全年營收數據。因應全球半導體形勢的嚴峻，中芯國際2018年Q4營收較上一季有所下滑，並且預期2019年Q1收入預計為2019年相對低點。
中芯聯席CEO梁孟松於15日電話會議上表示持續加碼先進工藝的決心，他表示，中芯國際第一代FinFET14nm技術進入客戶驗證階段，產品可靠度與良率已進一步提升。同時，12nm的工藝開發也取得突破。
2018營收連續增長 2019Q1為低點
中芯國際2018年Q4財報顯示，銷售額達到7.876億美元，毛利潤1.34億美元，同比下降9.7％；淨利潤2652萬美元，同比減少44.4％，其中中國區增長12％。
2018年全年，中芯國際收入33.6億美元，創歷史新高，較2017年成長8.3%，其中中國區佔比達到歷史新高59.1％，比上年增長11.8個百分點；毛利率22.2％，下滑1.7個百分點，淨利潤1.34億美元，減少25.6％。
由於受行業淡季影響，公司預估2019年第1季銷售收入環比下滑16%至18%左右；預估毛利率介於20%至22%之間，環比增加3至5個百分點。
中芯國際聯席CEO趙海軍指出：“面對2019年大環境許多的不確定，我們努力尋求成長機遇；穩中帶進，積極開發客戶，拓展成熟和特色工藝的產品組合和應用範圍，發掘市場價值機會，為成長儲備力量。”
趙海軍透露，中芯在2019年看好NOR / NAND存儲、面板驅動IC、CMOS傳感器、電源管理 IC等。他表示，NOR / NAND 存儲產品線受惠新客戶加入，預計營收將倍數成長，指紋辨識技術會朝 underglass 技術發展，而需要採用高壓工藝技術的面板驅動 IC 產品線，今年也會受惠新客戶加入，一起搶佔市佔率，8吋晶圓廠的需求持續熱絡到年底，整體客戶組合會以國內、國際雙向發展。
上一季度財報會議時梁孟松表示，2019年下半年，中芯將專注於開發Cowos以及FinFET，尤其FinFET已經上軌道並受到客戶認證，將提供移動與無線客戶，未來14nm將應用於AI、IoT和自駕車等領域，並導入新興市場等區域。而在此次電話會議上，梁孟松也重申AI、IoT以及自動駕駛的重要性。
中芯先進工藝大進展：14nm量產在即、12nm取得突破
縱觀全球晶圓代工廠，龍頭企業臺積電已量產7nm，5nm即將登場，三星亦已量產7nm，儘管中芯國際與臺積電等先進工藝落後兩代，但距離正在逐漸縮小——中芯國際聯席CEO梁孟松表示，中芯第一代 FinFET 工藝 14 nm 技術已進入客戶驗證階段，產品可靠度與良率已進一步提升。同時，12nm 的工藝開發也取得突破，下一代的 FinFET 工藝（N+1 FF）也會根據客戶需求推出。
梁孟松指出，相較於14 nm工藝，12 nm在表現上功耗減少20 %、效能增加10 % 、面積減少20 %，兩個工藝有部分客戶重疊，預計在消費性、中端手機 AP、 wireless connectivity 、 AI 等應用都會有需求。
此外，據悉中芯國際正準備在2019年批量生產14nm智能手機SoC。整體來看，因應新功能加入包括BCD工藝的charger應用、CMOS、高壓HV、AMOLED驅動IC等，2019年手機產業仍會有較多商機。
值得注意的是，梁孟松於15日電話會議上強調，中芯提供全系列IP以及封裝測試服務等，從IC製造到後端封裝、測試“一條龍”服務發展。
中芯國際於上海建造的高端工藝12吋晶圓廠房“中芯南方”也將進入量產。中芯南方是由大基金、上海集成電路基金、中芯國際三方投資成立合資廠，專門生產 14 nm 以下的高端工藝技術，預計在 2019 年第二季移入機臺設備，年底將開始小量生產。
超前臺積電南京廠 中芯志在必得
事實上，中芯開發14 nm 以下的高端工藝技術，還有一項重大意義，就是正式超前臺積電在南京的16納米工藝佈局，但後續有待觀察的是，中芯國際能否以良好的良率批量生產FinFET。“隨著FinFET上的知識和工藝模塊配方的增加，中芯國際的開發只是時間問題，”Gartner的分析師Samuel Wang認為。“上市時間至關重要。如果早一點他們就能成功。如果太遲了，那就有挑戰性了。”
如果中芯國際能夠批量生產14納米FinFET場效應晶體管，並且，進一步向前推進“半世代”工藝12納米，那麼將使中芯與競爭對手並駕齊驅，甚至超前，居於國內晶圓代工的領先地位。尤其，臺積電受限於登陸投資，工藝卡位在16納米，那麼12納米對於中芯而言，就具備地利優勢。
事實上，在政策資助下，中芯計劃在一個新12吋廠中開發更先進的工藝。“中芯國際將獲得100億美元資助以建設14、10和7納米的產能。到2021年第四季度，他們將每月生產7萬片晶圓，”國際商業戰略首席執行官Handel Jones透露。“並且已經買了一些非關鍵設備。”中芯國際還面臨一些挑戰。14納米場FinFET效應晶體管開發已初步有成，但7納米代表了一個重大進展。
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