中芯國際、華力微、長江存儲今年將紛紛啟動進入1X奈米以下工藝技術的“深水區”，中芯國際明年上半年14納米FinFET將風險試產，並推進7 納米研發進程；上海華力Fab6未來也將成為14納米量產重要基地；長江存儲今年首顆國內自主研發閃存芯片也將邁入量產，未來數月將進入密集裝機期。
據外媒報導，中芯國際已經訂購了一臺EUV設備，首臺EUV設備購自ASML，價值近1.2億美元。EUV是當前半導體產業中最先進也最昂貴的芯片製造設備，全球僅一家荷蘭設備商ASML供應。
EUV是未來1X納米繼續走向1X納米以下的關鍵光刻機，前包括英特爾、三星、臺積電等巨頭都在爭搶購買該設備。設備供應商ASML曾表示，一臺EUV從下單到正式交貨約長達22個月，若以中芯目前訂購來看，按正常交期也要2020年年初左右才能到貨。
中芯7納米麵臨較長更新換代週期
按照中芯國際的技術藍圖規劃，2019年上半年肩負14納米FinFET將風險試產任務，若2020年順利取得EUV，將可進一步向前推進至7納米。而目前研發團隊最高負責人、中芯國際聯席CEO梁孟松則扮演先進技術藍圖規劃的推手。
儘管中芯目前在製造工藝上仍落後於臺積電等市場領導者兩到三代，但此舉已經突顯了中芯在研發團隊重整旗鼓之後的雄心，此時下單EUV也屬正當其時。
不過下單歸下單，未來技術挑戰仍擁有幾大內外變數考驗，一是先進高端設備的進口能否順利進入中國；二是設備啟動的上海能否給予充足的電力供給；三是順利裝機之後設備的調試與良率，畢竟從浸潤式光刻機，改成EUV系統，不是一個世代的跨越這麼簡單，而對中芯國際研發先期量產團隊來說全然陌生，涉及到光刻膠、掩膜、pellicle、檢測等全環節的良率提升，相對來說，更新換代的學習週期會較長。
半導體行業專家莫大康則分析認為，中芯有錢提前佈局7nm是件好事，對於中芯來說，要從人員培訓開始，未來要待中芯能做7nm可能至少還需5年以上時間，仍有很多挑戰需要克服。
日前，中芯國際財報顯示，今年將全年資本支出從19億美元上調至23億美元，用於先進製程的研發、設備開支以及擴充產能。顯示未來將加強先進工藝技術的佈局。
上海華力Fab6 進入密集裝機期
值得注意的是，同樣也在緊追1X奈米工藝技術的華力上海Fab6也正式搬入的首臺ASML NXT 1980Di光刻機。這臺光刻機是目前中國集成電路生產線上最先進的浸沒式光刻機。
華力表示，Fab6主廠房完成淨化裝修，相關配套機電設備準備就緒，具備了工藝設備搬入條件，較原計劃進度提前1個半月，僅約16個半月。
根據華虹集團的規劃，Fab6總投資387億元人民幣，建成後月產能將達4萬片12吋晶圓，工藝覆蓋28-14納米技術節點。項目計劃於2022年底建成達產，主要投入邏輯芯片量產。
在接下來的五個月內，華虹Fab6工藝設備將集中搬入，並完成安裝調試，年底前完成生產線串線並實現試流片。
長江存儲自主閃存芯片進入量產考驗
無獨有偶，長江存儲的首臺光刻機也已運抵武漢天河機場，這臺光刻機為ASML的193nm浸潤式光刻機，售價7200萬美元用於14nm~20nm工藝，陸續還會有多臺運抵。
長江存儲主要攻關3D NAND閃存芯片工藝量產，計劃共建三座3D-NAND Flash廠房。總投資240億美元，其中，第一階段的廠房已去年9月完成建設，計劃2018年投產，2020年形成月產能30萬片的規模。
回顧長江存儲發展3D NAND閃存的歷程：2014年與中科院微電子所啟動雙方3D NAND合作項目；2015年，完成了9層結構的3D NAND測試芯片，實現了電學性能驗證；2016年，實現了32層測試芯片研發及驗證，注資240億美元建設國家存儲器基地；2017年，測試芯片良率大幅提升，並實現了首款芯片的流片；2018年，即將開始了3D NAND存儲芯片生產線試產。
日前紫光集團全球執行副總裁暨長江存儲執行董事長高啟全更是透露，長江存儲的3D NAND Flash已經獲得第一筆訂單。明年，長江存儲力爭64層堆疊3D閃存實現規模量產，單顆容量128Gb(16GB)，與世界領先水平差距縮短到2年之內。
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