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今天，由中國科學院光電技術研究所承擔的國家重大科研裝備——超分辨光刻裝備項目在成都通過驗收，項目組宣佈，中國科學家已研製成功世界上首臺分辨力最高的紫外超分辨光刻裝備。
據介紹，中科院光電所超分辨光刻裝備項目組經過近7年艱苦攻關，突破了多項關鍵技術，完成國際上首臺分辨力最高的紫外超分辨光刻裝備研製，其採用365納米波長光源，單次曝光最高線寬分辨力達到22納米。
科研人員展示加工的功能器件
長期以來，我國的光刻技術落後於先進國家，成為我國工業現代化進程的一塊短板。2006年，科技部提出了光刻技術的中長期規劃，希望中科院的國家重點實驗室，能找到一條繞開國外技術壁壘，具有自主知識產權的光刻路徑。中科院光電所繞開了傳統的193納米浸入式光刻技術的舊路線，採用了365納米的長波長光源，從光源成本上和安全性方面上都會有很大的提升，據介紹，中科院的光刻設備成本僅為國外同類設備的1/3，而且是完全具有知識產權的原創性技術。
光刻機是製造電腦CPU的機器，處於半導體制造的金字塔頂尖，這也是中國和外國差距最大的地方，由於光刻機的製造需要巨量的資金和高度人才，同時需要多學科協同，從事光刻機研發的企業也越來越少，目前世界上先進光刻機基本被荷蘭的ASML公司壟斷，由於獨家壟斷，中國企業想要進口首先要經過重重審查，而且還要收到各種“產能限制”的打壓，但從今以後，我們自己能造拉！
上億美元一臺的ASML光刻機，您還別嫌貴，要買排隊
這次中科院光電所微細加工光學技術國家重點實驗室研製出來的光刻機是世界上第一臺單次成像達到22納米的光刻機，目前Intel的CPU卡在14nm++++上，而AMD據說已經要出7nm技術，在手機SOC上，蘋果和華為的最新SOC都是7nm芯片，高通的7nm芯片下個月即將首發，而三星新一代芯片採用自研的8nm技術，看上去國產光刻機單次曝光最高線寬分辨力達到22納米並不怎麼起眼，但實際上卻不然，因為無論是臺積電還是三星的SOC製造，都是採用多次曝光的工藝，而如果國產光刻機結合現在193納米技術路線上已經成熟的多重曝光技術，自然可以用於製備10納米以下的信息器件。而在報道中，科員人員也證實了這點。
採用365納米技術的國產光刻機
總之，國產光刻機的出現，會極大提升我國的芯片加工水平，有人估算，每年至少為我國節省3000億美元外匯。
壯哉！國產光刻機！
壯哉！光電技術研究所！
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