穆学国
在半导体行业，所谓工艺极限是特定而相对的，特定指的是7nm极限是在半导体FinFET工艺下的物理极限；而相对的意思是每次遇到瓶颈的时候，工业界都会引入新的材料或结构来克服传统工艺的局限性。
10年前我们遇到了65nm的工艺极限，工业界引入了HKMG，用High-K介质取代了二氧化硅。
5年前我们遇到了22nm的工艺极限，工业界发明了FinFET和FD-SOI，前者用立体结构取代平面器件来加强栅极的控制能力，后者用氧化埋层来减小漏电。
现在7nm是新的工艺极限，工业界使用了砷化铟镓取代了单晶硅沟道来提高器件性能。
当然这里面的代价也是惊人的，每一代工艺的复杂性和成本都在上升，现在还能够支持最先进工艺制造的厂商已经只剩下Intel、台积电、三星和GlobalFoundries了。
至于7nm以下，就要依赖极紫外(EUV)光刻机了。
分享到:
