證券時報e公司訊，3月4日，揚傑科技在互動平臺表示，公司目前還沒有進行氮化鎵芯片和器件的生產。公司與北京大學團隊有研發垂直結構氮化鎵二極管的合作項目。碳化硅器件與氮化鎵器件均屬於寬禁帶半導體產品，適合應用於大功率、高頻、高速、高溫以及其他惡劣環境中工作，碳化硅產品應用的功率範圍更大，價格也更高。
本文源自證券時報網
分享到:
閱讀更多 金融界 的文章
證券時報e公司訊，3月4日，揚傑科技在互動平臺表示，公司目前還沒有進行氮化鎵芯片和器件的生產。公司與北京大學團隊有研發垂直結構氮化鎵二極管的合作項目。碳化硅器件與氮化鎵器件均屬於寬禁帶半導體產品，適合應用於大功率、高頻、高速、高溫以及其他惡劣環境中工作，碳化硅產品應用的功率範圍更大，價格也更高。
本文源自證券時報網
閱讀更多 金融界 的文章
