與2018年的併購、建廠、擴產、投產相比，到目前為止，今年的存儲器領域並未出現大規模的併購建廠，而是更加註重技術的升級、以及新產品的研發。
2019年長鑫19納米DRAM正式量產，17納米工藝重大突破；長江存儲64層3D NAND量產，128層3D NAND取得重大突破。2020年中國大陸存儲進入豐年。
下面一起回顧一下2019年存儲產業領域發生的那些大事件。
一、國內篇
2019年2月20日，東南大學國家ASIC工程中心時龍興教授、楊軍教授團隊在ISSCC上發表了題為《Sandwich-RAM: An Energy-Efficient In-Memory BWN Architecture with Pulse-Width Modulation》的論文，這是ISSCC上第一次錄用中國大陸 存儲芯片領域相關論文，是首次深度學習處理器領域入選的論文。
1、合肥長鑫CXMT
長鑫存儲首次介紹建設情況
2019年5月15日，DRAM生產商長鑫存儲董事長兼CEO朱一明介紹長鑫的建設經歷和知識產權體系。
朱一明表示，長鑫存儲通過自主研發再創新，累計投入25億美元研發費用，建成了嚴謹合規的研發體系，並結合當前先進設備完成了大幅度的工藝改進，開發出獨有的技術體系，拉近了與世界先進水平的技術差距。長鑫存儲完成了第一座12英寸DRAM存儲器晶圓廠的建設，技術和產品研發有序開展。目前，製造工藝進展順利，已持續投入晶圓超過15000片。
平爾萱談長鑫技術問題
2019年9月19日，長鑫存儲副總裁、未來技術評估實驗室負責人平爾萱博士在演講中表示 基於授權所得的奇夢達相關技術和從全球招攬的極具豐富經驗的人才，長鑫存儲藉助先進的機臺已經把原本奇夢達的46納米 DRAM平穩推進到了10納米級別。公司目前開始在EUV、HKMG和GAA等目前還沒有在DRAM上實現的新技術進行探索。
8GbDRAM芯片宣佈投產
2019年9月20日，在2019世界製造業大會上，合肥長鑫自主製造項目宣佈投產，其與國際主流DRAM產品同步的19 納米第一代8Gb DDR48Gb DDR4首度亮相。
據瞭解，長鑫存儲內存芯片自主製造項目於2016年5月由合肥市政府旗下投資平臺合肥產投與細分存儲器國產領軍企業兆易創新共同出資組建，是安徽省單體投資最大的工業項目，一期設計規劃產能每月12萬片晶圓。
目前，該項目已通過層層評審，並獲得工信部旗下檢測機構中國電子技術標準化研究院的量產良率檢測報告。據長鑫存儲董事長兼首席執行官朱一明表示，投產的8Gb DDR4已經通過多個國內外大客戶的驗證，今年底正式交付。8Gb LPDDR4X也於第四季度實現投產。
集成電路製造基地項目簽約
2019年9月21日，在2019世界製造業大會上，合肥市政府與長鑫存儲技術有限公司、華僑城集團有限公司、北方華創科技集團股份有限公司等就合肥長鑫集成電路製造基地項目簽約。
合肥長鑫集成電路製造基地項目總投資超過2200億元，選址位於合肥空港經濟示範區，佔地面積約15.2平方公里，由長鑫12英寸存儲器晶圓製造基地項目、空港集成電路配套產業園和合肥空港國際小鎮三個片區組成。
其中長鑫12英寸存儲器晶圓製造基地項目總投資1500億元；空港集成電路配套產業園總投資超過200億元，位於長鑫存儲項目以西；合肥空港國際小鎮總投資約500億元，規劃面積9.2平方公里，總建築面積420萬平方米，位於長鑫存儲項目以北。
製造基地全部建成後，預計可形成產值規模超2000億元，集聚上下游龍頭企業超200家，吸引各類人才超20萬人。
2019年12月，長鑫存儲和WiLAN Inc.聯合宣佈，長鑫存儲與WiLAN Inc.合資子公司Polaris Innovations Limited有關達成專利許可協議和專利採購協議。依據專利許可協議，長鑫存儲從Polaris獲得大量奇夢達（Qimonda）的DRAM技術專利的實施許可。
未來規劃
根據規劃，長鑫存儲合肥12英寸晶圓廠分為三期，第一期滿載產能為12 萬片，預計分為三個階段執行，第一階段要完成單月4萬片，目前為2萬片，2020年第一季底達到4萬片。2020年開始規劃建設二期項目，並於2021年完成17nm工藝的DRAM研發。
2、紫光集團
宣佈進軍DRAM產業
2019年6月30日，紫光集團正式宣佈組建DRAM事業群，委任刁石京為DRAM事業群董事長，高啟全（Charles Kau）為DRAM事業群首席執行官（CEO）。此舉標誌著DRAM業務版塊在紫光集團內部獲得戰略提升。
隨後，紫光迅速佈局，8月27日和重慶市人民政府簽署紫光存儲芯片產業基地項目合作協議。根據協議，紫光集團將在重慶兩江新區發起設立紫光國芯集成電路股份有限公司，建設包括DRAM總部研發中心在內的紫光DRAM事業群總部、DRAM存儲芯片製造工廠。
12英寸DRAM存儲芯片製造工廠計劃於2019年底開工建設，預計2021年建成投產。
64層3D NAND閃存投產
2019年8月26日，長江存儲64層3D NAND閃存芯片在第二屆中國國際智能產業博覽會上首次公開展出。
9月2日，長江存儲在其官方微信正式宣佈，已經投產基於Xtacking架構打造的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存，以滿足固態硬盤、嵌入式存儲等主流市場應用需求。
長江存儲上海研發中心落戶張江
2019年8月31日，2019世界人工智能大會“生態引領、智鏈浦東”峰會在世博中心召開。會上，長江存儲上海研發中心簽約上海集成電路設計產業園。
紫光長存（上海）集成電路有限公司與張江高科簽約的長江存儲上海研發中心為自主研發存儲芯片項目，將在張江成立上海研發中心，預計研發投入每年不低於1億元。
聘任坂本幸雄
2019年11月15日，紫光集團正式宣佈任命前爾必達CEO坂本幸雄（Yukio Sakamoto）為紫光集團高級副總裁兼日本分公司CEO，負責拓展紫光在日本市場的業務。
坂本幸雄在接受《鑽石週刊》獨家專訪中談到，紫光的目標是5年內量產DRAM，他的工作就是協助達成目標。紫光要在日本神奈川縣川崎辦公室設立“設計中心”，預定招募70到100位工程師，和中國的製程據點密切合作，大約花2、3年建構量產的體制。
武漢新芯二期投產
2019年武漢新芯二期擴產項目順利投產，將於2020正式量產。
2018年8月28日，武漢新芯集成電路製造有限公司召開二期擴產項目現場推進會在武漢召開。據悉武漢新芯二期擴產項目規劃總投資17.8億美元；2018年月開始12 進入設備安裝調試。設備安裝調試。
紫光成都存儲器製造基地項目
2019年，原預計於2020年第三季投產的紫光成都存儲器製造基地項目主廠房還在建設中。
2018年10月12日，紫光成都存儲器製造基地項目開工。據介紹，紫光成都存儲器製造基地項目佔地面積約1200畝，總投資達240億美元，將建設12寸3D NAND存儲器晶圓生產線，並開展存儲器芯片及模塊、解決方案等關聯產品的研發、製造和銷售，旨在打造世界一流的半導體產業基地。據悉，項目全部建成將可形成月產芯片30萬片。
128層3D NAND獲突破
2019年長江存儲128層3D NAND Flash已經取得重大突破，目前正在改進良率中，預期2020年投產。
未來規劃
長江存儲武漢廠目前的產能約月產能2萬片，預計到2020年四季度會達到月產能5萬片。
紫光成都廠按計劃2020年第三季度投產，到2020年四季度月產能可爬升到1到2萬片。
按照計劃，2019年順利量產64層3D NAND Flash之後，長江存儲會跳過96層堆疊直接殺向128層堆疊，而據悉128層3D NAND Flash也已經取得重大突破，這也意味著，2020年長江存儲將要進行128層3D NAND Flash的量產。
3、晉華集成
據悉，晉華工廠有200餘臺設備，原計劃2018年底試產。然而，由於福建晉華和美光之間的訴訟，美國當地時間2018年10月29日，美國將福建晉華列入了出口管制的實體清單。隨後，聯電也宣佈暫停為福建晉華提供研發協助。至此福建晉華的DRAM幾乎陷入停滯。
但是2019年以來，筆者在多個場合見到晉華集成副總經理徐徵，雖然並未透露任何有關晉華的信息，但其代表晉華公開現身，應該表明“晉華仍在運轉當中”。
二、海外篇
1、鎧俠/東芝
與西數聯合投資北上K1工廠
2019年5月，和西數達成正式協議，共同投資在日本巖手縣北上市建造的“K1”製造工廠。
K1工廠的建設預計將在2019年秋季完成，而東芝存儲器和西部數據對K1工廠設備的聯合投資將從2020年開始實現96層3D NAND Flash的初始生產。
四日市工廠停電
2019年6月15日，日本四日市停電13分鐘（從18:25到18:38），而東芝存儲器因為在該市擁有多個工廠也隨之備受關注。
東芝存儲器在四日市市運營的6個晶圓廠（NY2，Y3，Y4，Y5-1，Y5-2和Y6），都遭受不同程度的損失。
2019年6月下旬，西部數據表示停電事故影響到西部數據共約6EB當量的wafer產出，約佔當季供應量的一半左右。
收購臺灣光寶SSD業務
2019年8月30日，與光寶（liton Technology Corporation）簽署了收購其SSD（固態硬盤）業務的最終協議。收購價格為1.65億美元，該交易預計將於2020年上半年完成，並將根據慣例進行收市調整和監管審批。
其中收購包括存貨、機器設備、員工團隊、技術與知識產權、客戶供應商關係等營業與資產，預計2020年4月1日完成。
此次收購視為加強公司SSD業務的一種方式。
更名Kioxia
2019年10月1日，東芝存儲器正式更名為Kioxia公司。全球所有東芝存儲器公司都會採用新的品牌名稱Kioxia，基本上同一天生效。而東芝電子（中國）有限公司計劃將於2020年春天完成更名。
東芝存儲器稱，融合了“記憶”與“價值”的雙重含義，Kioxia代表了公司以“存儲”助力世界發展的使命，同時也是公司願景的基石。
Kioxia將開創新的存儲器時代，以應對日益增大的容量、高性能存儲和數據處理的需求。
2、美光
恢復向華為出貨部分芯片
2019年5月，美國商務部將華為列入一項黑名單後，美國存儲芯片大廠美光也停止了華為的出貨。然而，不久之後，有外媒報道，美光執行長Sanjay Mehrotra表示，在評估美國對華為的禁售令之後，已經恢復部分芯片出貨。
美光確定，可以合法恢復一部分現有產品出貨，因為這些產品不受出口管理條例 (EAR) 和實體清單的限制。Mehrotra同時指出，因為華為的情況依然存在不確定性，因此美光無法預測對華為出貨的產品數量或持續時間。
不過，到目前為止，尚未有美光再次向華為停止出貨的消息傳出。
延遲日本廣島DRAM新廠投資計劃
美光位於日本廣島的DRAM工廠（Fab 15）最新的生產廠房B棟已於2019年6月初落成啟用，其無塵室的面積較原先擴大了10%，並計劃進行新一代DRAM 的生產，以縮小與三星的差距。
Fab 15實際上是在2013年美光買下爾必達後納入麾下的，原計劃在今年中期在該廠展開1Z nm製程的下一代DRAM 生產，不過據傳該廠已動工的F棟廠房部分擴建已經向後推遲了7個月，F棟廠房原本預計在2020年的7月份完成興建，如今已經延遲到2021年的2月份，足足向後延遲了7個月的時間。
各中原因，眾說紛紜，有說是因為對華為禁運，有說是因為數據市場低迷。
新加坡閃存廠完成擴建
2019年8月14日，美光宣佈完成新加坡NAND Flash廠Fab 10A的擴建，這是繼Fab 10N、Fab 10X之後的第三座NAND Flash工廠。
擴建的Fab 10A為晶圓廠區無塵室空間帶來運作上的彈性，可促進3D NAND技術先進製程節點的技術轉型。另外，擴建的Fab 10A廠區將根據市場需求調整資本支出，在技術及產能轉換調整情況下，Fab 10廠區總產能將保持不變。
臺灣DRAM擴產
2019年8月，美光（Micron）將在臺灣加碼投資，要在現有廠區旁興建2座晶圓廠，總投資額達4000億元新臺幣（約合人民幣903億元），生產最新制程DRAM。美光此次4000億新臺幣擴建案，規劃在目前中科廠旁，興建A3及A5二座晶圓廠。
其中，A3廠房是以擴建無塵室為名，且已進入工程興建階段，預定2020年8月完工投，並陸續裝機，2020年第4季導入最新的1Z製程試產，藉此縮小與三星的差距；第二期A5廠將視市場需求，逐步擴增產能，規劃設計月產能6萬片。
完成收購IMF，結束和英特爾的合作
2019年10月31日，美光完成對英特爾在雙方合資公司IM Flash Technologies的股權收購，位於猶他州Lehi的工廠成為美光的全資子公司。此舉表明，美光和英特爾在NAND Flash方面的合作也將徹底結束，包括3D NAND技術的研發，將各自獨立推動自己的未來技術路線圖。
3、SK海力士
停產部分NAND Flash產品
2019年第一季度，SK海力士財報表現不盡如人意，營收為6.77兆韓元，環比下滑32%，同比下滑22%；營業利潤為1.37兆韓元，環比下滑69%，同比下滑69%；淨利潤1.1兆韓元，環比下滑68%，同比下滑65%。
因此，SK海力士表示，為專注於改善收益，在NAND Flash部分，將停止生產成本較高的36層與48層3D NAND，同時提高72層產品的生產比重。
在DRAM領域，將逐漸擴大第一代10納米 (1X) 產量，並從下半年起，將主力產品更換為第二代10納米 (1Y) 產品。與此同時，為支援新款服務器芯片的高用量DRAM需求，將開始供給64GB模塊產品。
無錫新廠完工
2019年4月18日，SK海力士無錫二工廠（C2F）舉行了竣工儀式。二工廠是在原有DRAM生產線C2的基礎上實施的擴建工程。二工廠項目全部建成後，SK海力士無錫工廠將形成月產18到20萬片12英寸晶圓的產能。
不過由於各種原因，目前產能推進不是很積極。
量產業界首款128層4D NAND芯片
2019年6月26日，SK海力士宣佈，已成功開發並開始量產世界上第一款128層1Tb TLC 4D NAND閃存芯片。
在相同的4D平臺和工藝優化下，SK海力士在現有96層NAND的基礎上又增加了32層，使製造工藝總數減少了5%。與以往技術遷移相比，96層向128層NAND過渡的投資成本降低了60%，大大提高了投資效率。
這款128層的1Tb NAND閃存芯片實現了業界最高的垂直堆疊，擁有3600多億個NAND單元，每個單元在一個芯片上存儲3位。相較於此前的96層4D NAND，SK海力士新的128層1Tb 4D NAND可使每塊晶圓的位產能提高40%。
4、三星
全球首發量產512GB eUFS3.0閃存芯片
2019年2月27日，三星電子宣佈，全球首發量產512GB eUFS3.0閃存芯片，成為了全球唯一一家可以量產512GB eUFS3.0閃存芯片的公司，該芯片用於三星摺疊屏手機Galaxy Fold。
三星電子表示，eUFS3.0芯片連續讀取速度可達2100MB/s，是現有eUFS 2.1速度的兩倍有餘，也是普通SD卡速度的20多倍，計劃下半年開始供應1TB與256GB規格的eUFS 3.0閃存芯片。
推出1Z納米制程DRAM
在DRAM製程陸續進入10納米級製程後，三星電子於2019年3月21日宣佈，開發第三 代1010納米等級（1znm）8GB DDR4。
而這也是三星發展第二代（1ynm）製程DRAM之後，經歷16個月，在不使用EUV的情況下，再次開發出更先進製程的DRAM產品。
隨著1znm製程產品問世，併成為業界最小的存儲器生產節點，三星的生產效率比以前1ynm等版DDR4 DRAM高20%以上。
三星指出，跨入1znm製程的DRAM生產，將為全球IT加快朝向下一代DRAM界面，包括DDR5、LPDDR5和GDDR6等預做準備。
量產全球首款12Gb LPDDR5 DRAM
2019年7月18日，三星電子官方宣佈量產全球首款12Gb LPDDR5 DRAM。據瞭解，三星12Gb LPDDR5 DRAM主要針對未來智能手機，優化其5G和AI功能。
採用第2代10納米等級（1ynm）製程的新款12Gb LPDDR5 DRAM，傳輸速度可達到5500Mbps，是現有LPDDR4X速率4266Mbps的1.3倍。
三星表示，2020年將量產16Gb的LPDDR5 DRAM顆粒。
三星西安基地擴產
2019年12月25日，三星西安二期二階段開工，預計投資達80億美元，規劃月產能7萬片。
三星西安基地二期一階段月產能6萬片，已經開始投片試產，將於2020年3月正式量產。
二期整體完工後，西安總產能將高達25萬片。
三星華城停電
2019年12月31日下午，三星華城基地發生大約一分鐘的斷電事故，導致三星華城芯片工廠的部分芯片生產已經暫停。
據悉，此次斷電是因為區域電力傳輸電纜出現問題，目前部分DRAM和NAND閃存的生產已經暫停，預計需要大約兩到三天時間才能全面恢復。此次事故可能造成數百萬美元損失，但沒有造成重大破壞。
而2018年，三星平澤工廠一次半小時的斷電造成了據估計高達500億韓元（約合4332萬美元）的損失。
5、英特爾
2019年9月，英特爾表示，3D XPoint閃存依然採用第一代兩層堆疊技術，製造還依賴美光工廠的產能。
明年上市的第四代3D閃存已經確定將使用144層堆疊技術，並且同96層堆疊時代不同的是QLC閃存將成為首發產品。但繼續沿用Floating Gate浮柵結構，英特爾表示這種結構在數據保存期上較Charge Trap結構更有優勢。
PLC（5bit per cell）可行性也在討論中，並沒有量產的時間表。
出售IMF，結束和美光的合作
2019年10月31日，英特爾完成在和美光的合資公司IM Flash Technologies中的股權出售，位於猶他州Lehi的工廠成為美光的全資子公司。此舉表明，美光和英特爾在NAND Flash方面的合作也將徹底結束，包括3D NAND技術的研發，將各自獨立推動自己的未來技術路線圖。
6、華邦電子
高雄新廠延後
華邦電子高雄12英寸廠房於2019年7月封頂，原本預期2021年底可開始進入生產，初期以25納米DRAM開始投片。2019的2月6日華邦電子表示，由於2012年存儲器市況將趨於穩定，但因存儲器價格仍然不好，所以高雄12英寸廠的裝機時間將遞延到2022年第一季。
中科廠挺進下一代製程
2019年，中科廠已經安裝20納米和25納米的DRAM設備，在此試驗新制程，如果良率得以提升，然後再搬到高雄新廠量產。
7、旺宏電子
加碼3D NAND Flash
2019年12月9日，旺宏公司表示將於2020年下半年開始量產48層3D NAND存儲器，並且已經收到了客戶的訂單。此外，公司計劃在2021年量產96層，在2022年量產192層3D NAND存儲器。
旺宏成立30年，目前已經在ROM、NOR Flash拿下全球第一的地位，下一個目標則是要在20年內，成為NAND Flash的領導廠商。
8、南亞科技
自主研發10納米級工藝
2019年，南亞科技完成自主研發10納米級DRAM技術，將在2020年下半年試產。
南亞科技現在以20納米技術為主力，技術來源為美光。隨著南亞科技10納米制程導入自主技術，意味未來不再仰賴美光授權，擺脫數十年來技術長期依賴國際大廠的狀況，免除動輒上百億元的授權費用。
南亞科技已成功開發出10納米DRAM新型記憶體生產技術，使DRAM產品可持續微縮至少三個時代。第一代的10納米前導產品8Gb DDR4、LPDDR4及DDR5將建構在自主製程技術及產品技術平臺，2020下半年後將進入產品試產。第二代10納米制程技術已開始研發階段，預計2022年前導入試產，後續會開發第三代10納米制程技術。
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