ACLR(Adjacent Channel Leakage Ratio,临道泄露比)，是描述本机对其他设备的干扰，用来考量发射机所泄漏的信号，对相同或相似制式设备的接收机造成的干扰，干扰信号以同频同带宽的模式落到接收机带内，形成对接收机接收信号的同频干扰。在LTE中，ACLR的测试有两种设置：EUTRA和UTRA。前者描述LTE系统对LTE系统的干扰，后者描述LTE系统对UMTS系统的干扰。所以我们可以看到EUTRA ACLR的测量带宽是LTE RB的占用带宽，UTRA ACLR的测量带宽是UMTS信号的占用带宽（FDD系统3.84MHz）。
影响ACLR因素有哪些？
1.前端插损大；
2.饱和功率低；
3.匹配位置不对；
4.PA增益模式设错（低增益大功率）；
5.VCC电压太低；
6.MIPI bias 设错（高通平台还要看ICQ）；
7.线性度、输入插损、layout问题等；
1.匹配位置与ACLR
从上图Load Pull可以看出，不同位置ACLR值不同，因此在调试过程中要ACLR、功耗和增益三者兼顾。且ACLR跟电流是矛盾关系，这是因为PA的线性度与效率是成反比的，若要 ACLR指标较好，那么IIP3要高，即线性度要好，因此效率就低,耗电流就大；反之,功耗越小,牺牲线性度越大，ACLR就会越差，所以一般而言,调PA的Load-pull时,要调到最常用的50欧,以兼顾ACLR跟电流。
2. 前端插损与ACLR
WCDMA的TX是BPSK调制，LTE为QPSK或16QAM调制，为非恒包络。因此其PA须靠Back-off（功率回退）来维持线性度。当然，Back-off越多，线性度越好，但耗电流也越大。
前端插损可包括ASM, Duplexer, Matching, 走线的Insertion Loss等，如果你要达成Target Power，一旦前端插损过大，意味着PA的输出功率就越大。如果PA输出功率越大，那就是Back-off越少，越接近饱和点，其线性度也越差，其ACLR会跟着劣化。
3. PA输入与ACLR
（1）PA的input是DA(Driver Amplifier)的Load-pull，如果PA input的阻抗偏离50欧较远，亦即此时DA的线性度不够好，ACLR就差，加上PA是最大的非线性贡献者，如果PA input的ACLR已经很差，那么PA out的ACLR，只会更差，一般而言，PA输出端的ACLR，都要求至少达到-40 dBc。
（2）LO Leakage跟DA产生的2倍谐波，有可能会在PA内部，产生IMD（交调），进而使ACLR劣化。
所以若在PA前端，先用SAW Filter把2倍谐波砍掉，可降低其IMD，进一步改善ACLR。而若滤波器的陡峭度越好，则越能抑制带外噪声，因此理论上，使用BAW（Bulk Acoustic Wave,体声波滤波器，更高的频率等级、更低的插入损耗、边缘斜率极高和抑制能力优秀的窄带滤波器）的ACLR，会比使用SAW（Surface Acoustic Wave,声表面波滤波器）来得好。但要注意虽然PA前端的SAW Filter可抑制带外噪声，改善ACLR，但若其PA输入端SAW Filter的Insertion Loss过大，意味着DA需输出更大的输出功率来满足PA的输入范围，若低于下限则无法驱动PA。
4. IR Drop（压降）与ACLR
Vcc越小，其ACLR越差，这是因为，放大器在闸极与汲极之间，会存在一个既有的寄生电容，即Cgd, 当VCC变低时，Cgd会变大，当Cgd变大时，则容抗会变小，因此部分输入信号，会通过Cgd，由闸极耦合到汲极，即右图中的Feedthrough现象，导致输出信号有严重的失真，低压会让PA线性度变差，因此若Vcc走线太长或太细，会有IR Drop，使得真正灌入PA的Vcc变小，那么ACLR就会差当然，除了PA电源，收发器的电源也很重要，否则若DA的电源因IR Drop而变小，使得PA输入端的ACLR变差，那PA输出端的ACLR，只会更差。
5.校准
不论是饱和PA，或是线性PA，皆可通过校准来提升线性度与效率，最常见的校准方式为DPD（Digital Pre-Distortion），先提供一个与PA输出特性曲线完全相反的特性曲线，即反函数，接着再合成，修正AM-AM&AM-PM特性，最后便能产生线性的输出做完预失真后，因为提升了PA的线性度，其ACLR明显改善许多。
6.DC-DC Power
一般而言，PA电源，是来自DC-DC Converter 其功率电感与Decoupling电容关系如下 :由于DC-DC Converter的Switching Noise会与RF主频产生IMD2，坐落在主频两侧，会影响左右两旁的ACLR,DC-DC Converter的稳压电容,与PA的稳压电容绝不可共地,因为该共地,对DC-DC Switching Noise而言,是低阻抗路径,若共地,则DC-DC Switching Noise会避开磁珠或电感,直接灌入PA 产生IMD2,导致ACLR劣化，换言之,共地会使磁珠或电感,完全无抑制作用。
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