时尽同学
去年，中芯国际表示开启基于14nm FinFET制程的量产芯片。同时，也在努力开发下一代主要节点(N+1)，与中芯国际自家的14nm制程相比，N+1可在性能提升20%的同时降低57%的功耗、并将逻辑面积减少了63%。目前N+1是否可达到台积电7nm可能存在一定疑问，应该能接近三星或者台积电10nm工艺。不过可以肯定的是N+1绕开了ASML的EUV光刻机，也可以算是没有光刻机的无奈之举吧。未来若能获得EUV光刻机，中芯可能才会真正达到量产7nm的水准。
锛镛林中月
手机的核心技术离不开最高端的设计，而这一方面中国的华为没有任何问题。实际上还有更为关键的技术就是芯片的生产，SOC芯片的生产已经达到了量产的7nm，它是三星和台积电的垄断性技术，而生产这些芯片需要的设备是同代的7nm极紫外光光刻机，也就是题主所说的荷兰的ASML。
由于美国担心中国在手机核心技术可控生产上追平甚至超过自己，让中国在整体架构上独立自主，而不是一直像MOV一样只购买他们应用层面的设备。美国给荷兰光刻机生产商施加了巨大的政治压力，迫使他们暂时放缓了对中芯国际订购的7nm极紫外光光刻机出口许可。
原来生产的14nm芯片采用的是EUV工艺，要进行升级换代需要更高级的光刻机，中芯N+1是一种脑洞大开的技术工艺，暂时绕开了新的机器，采用了DUV的技术。与上代芯片比较提升了大概20％的性能，降低了一半的功耗和三分之一的面积，由于是采用了四重曝光（用先进光刻机只需要一次，良品率也高），这样也就提高了成本，出品量率也降低了，而且生产的产品它并不等同于7nm，7nm提高的性能大概是35％。
只要是生产高端的SOC,光刻机一般是绕不过去的设备，到达5nm就没法再采用N+1的方式加工，我们在光刻机的制造上距离最先进的荷兰还有巨大的差距，不过我相信即使是继续封锁我们对于先进光刻机的采购，中芯一定会激发出潜力创造出一条令国人惊喜的路。
七色慧
光刻机是光刻机，制程是制程[打脸]
