- 要优化EMC 滤波器设计，了解干扰的类型很重要。我们还应该了解在某一频段内哪一种类型的干扰占主导地位。我们可以将传导发射分为差模噪声(DM) 和共模噪声(CM)。差模噪声通常在1MHz 以下的低频段占主导地位。在开关电源中，差模噪声主要源于直流母线电容的等效串联电阻（ESR）两端的压降。电压降由纹波电流产生（例如有源功率因数校正器产生的纹波电流）。共模干扰(CM) 通常在1MHz 到100MHz 之间占主导地位。在这个频段范围内，必须要考虑寄生参数和耦合路径。噪声类型对于EMC 滤波器的设计会产生重大影响。如果获知了干扰类型、寄生参数和耦合路径，我们就可以开始设计滤波器。
下面，我们主要针对电源在实际调试中遇到的问题做进一步的解析，方便研发设计人员有针对性的调试电源。
传导
150K附件超标，可以改变电感量，适当增大电源工作频率，在变压器第二层加屏蔽层，有效果，且可以减小谐波电流。
1MHz以内以差模干扰为主
1.增大X电容量；
2.添加差模电感；
3.小功率电源可采用PI型滤波器处理
1MHz~5MHz差模共模混合
采用输入端并联一系列X电容来滤除差摸干扰并分析出是哪种干扰超标并以解决，
1.对于差模干扰超标可调整X电容量，添加差模电感器，调差模电感量;
2.对于共模干扰超标可添加共模电感，选用合理的电感量来抑制；
3.也可改变整流二极管特性来处理一对快速二极管如FR107一对普通整流二极管1N4007。
4.5M附近，隔离驱动调整RCD钳位电路参数，电容电阻，或者二极管用慢管M7，也可采用在输出端接磁环，试下不同圈数的磁环效果。
5M以上以共摸干扰为主，采用抑制共摸的方法。
对于外壳接地的，在地线上用一个磁环串绕2-3圈会对10MHZ以上干扰有较大的衰减作用;
可选择紧贴变压器的铁芯粘铜箔，铜箔闭环。
处理后端输出整流管的吸收电路和初级大电路并联电容的大小。
20~30MHz
1.对于一类产品可以采用调整对地Y2电容量或改变Y2电容位置；
2.调整一二次侧间的Y1电容位置及参数值；
3.在变压器外面包铜箔；变压器最里层加屏蔽层；调整变压器的各绕组的排布。
4.改变PCBLAYOUT；
5.输出线前面接一个双线并绕的小共模电感；
6.在20M附近调试时，可在输出整流管两端并联RC滤波器且调整合理的参数；
7.在变压器与MOSFET之间加BeadCORE；
8.在变压器的输入电压脚加一个小电容；
9.可以用增大MOS驱动电阻。
辐射：
30~50MHz 普遍是MOS管高速开通关断引起
1.可以用增大MOS驱动电阻；
2.RCD缓冲电路采用1N4007慢管；
3.VCC供电电压用1N4007慢管来解决；
4.或者输出线前端串接一个双线并绕的小共模电感；
5.在MOSFET的D-S脚并联一个小吸收电路；
6.在变压器与MOSFET之间加BEADCORE；
7.在变压器的输入电压脚加一个小电容；
8.PCB心LAYOUT时大电解电容，变压器，MOS构成的电路环尽可能的小；
9.变压器，输出二极管，输出平波电解电容构成的电路环尽可能的小。
50~100MHZ普遍是输出整流管反向恢复电流引起
1.可以在整流管上串磁珠；
2.调整输出整流管的吸收电路参数；
3.可改变一二次侧跨接Y电容支路的阻抗，如PIN脚处加BEADCORE或串接适当的电阻；
4.也可改变MOSFET，输出整流二极管的本体向空间的辐射（如铁夹卡MOSFET;铁夹卡DIODE，改变散热器的接地点）。
5.增加屏蔽铜箔抑制向空间辐射。
这里说一个实例：有些驱动电源因为有防水要求，设计的时候需要A/B胶灌封。这类胶往往对传导和辐射有很大影响，特别是辐射。大家要特别注意。有些电源往往是灌胶前EMC效果很好，但是灌胶后，效果特别差了。但如果又没有办法搞定，且又急需送样，小编在这里教大家一个方法：可以用热缩套管、三防漆或者套套也可以，包裹住驱动，将驱动和A/B灌封胶完全隔离开，就不会影响到EMC性能了，且外观上看起来，还是灌胶后的样子和防水效果。
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