這幾年，“彎道超車”這個本不該在科技圈，尤其是在半導體領域出現的字眼，卻經常被大家用在半導體領域上。
因為相對於國際領先水平而言，國內半導體水平是落後很多的，如果是中規中矩的跟在後面追是很難追上的，只有彎道超車才有機會。
而事實上，這些年確實也有彎道超車的例子發生的半導體領域，比如今天給大家介紹的這一個產品就是了。
前幾天，長江存儲宣佈其128層QLC 3D NAND閃存（型號：X2-6070）研發成功，不僅如此，這顆芯片還刷新了三項紀錄，那就是X2-6070擁有目前業界已知最大單位面積存儲密度、最高I/O傳輸速度以及最高單顆NAND存儲芯片容量。
也件事情其實也意味著成立僅4年左右的長江存儲，已經差不多能夠媲美46歲的三星內存了。我們知道三星做內存是從1974年開始的，目前在NAND閃存上的技術也是128層堆疊技術，也許三星在研發的下一代技術，已經有了進展，但至少目前表現出來的技術也就是這個水平。
長江存儲成立於2016年，成立的背景就是在當時中國內存芯片自給率為0，但卻是全球最大的需求國，每年進口的內存芯片超過了1000多億美元，2018年達到了1230多億美元。
於是紫光集團聯合國家集成電路產業投資基金、湖北省科投等，成立長江存儲，來攻克閃存技術，為的就是能夠讓國產內存崛起，減少對國外產品的依賴。
當長江存儲研發32層堆疊技術時，三星等廠商早已在64級堆疊技術上發展了很多年，當長江存儲進入64層堆疊技術時，三星等廠商已進入128層堆疊技術。
後來長江存儲推出的突破性技術——Xtacking技術。該技術將為3D NAND閃存帶來前所未有的I/O高性能，更高的存儲密度，以及更短的產品上市週期。
於是長江存儲靠著這個Xtacking技術跳過了96層堆疊技術，直接進入到現在的128層堆疊技術，實現了真正的“彎道超車”。
而隨著長江存儲的這款128層QLC 3D NAND閃存發佈，也就意味著長期以來被美、日、韓把控的內存定價權或被中國廠商打破了，畢竟中國廠商一旦實現了0的突破，從0到10所要花的時間不會太長的，你覺得呢？
